[發明專利]襯底處理設備和襯底處理方法

在審

• 申請號: 202010165235.1
• 申請日: 2020-03-11
• 公開（公告）號: CN113078097A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 安孝承;金俊浩;辛東烈
• 申請（專利權）人: AP系統股份有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

本公開涉及一種襯底處理設備和襯底處理方法，所述襯底處理設備包含：腔室，具有處理空間；氣體供應單元，將處理氣體供應到處理空間中；襯底支撐件，設置于處理空間中以在中心區域處支撐襯底；中空按壓單元，沿著襯底的圓周設置以在于處理空間中下降時按壓襯底的邊緣；以及驅動單元，為按壓單元豎直移動提供驅動力。

技術領域

本公開涉及一種襯底處理設備和襯底處理方法，且更確切地說，涉及一種能夠在按壓襯底的狀態下對襯底執行處理工藝的襯底處理設備以及襯底處理方法。

背景技術

一般來說，半導體裝置或顯示面板是通過包含各種工藝的處理工藝來制造的，所述各種工藝通過使用等離子體來處理襯底，例如蝕刻、灰化、沉積和清潔。在所述工藝當中，蝕刻工藝選擇性地移除層壓的薄膜。蝕刻工藝分類成通過使用溶液進行蝕刻的濕式蝕刻和通過使用反應氣體進行蝕刻的干式蝕刻。確切地說，執行干式蝕刻使得其上層壓有絕緣層或金屬層的晶片裝載到密封的處理腔室中，并將蝕刻反應氣體注入到所述處理腔室中。此后，通過施加高頻或微波功率以蝕刻絕緣層或金屬層來形成等離子體態氣體。干式蝕刻并不需要在蝕刻晶片之后的清潔工藝，且各向異性地蝕刻絕緣層或金屬層。因此，目前干式蝕刻用于大多數蝕刻工藝。

然而，可在執行蝕刻工藝之前對應用于蝕刻工藝的襯底執行熱處理工藝。在熱處理工藝期間，襯底的邊緣處可能產生翹曲變形。在產生翹曲變形時，可能會限制工藝和工藝的可靠性。更確切地說，在對翹曲變形的襯底執行蝕刻工藝時，可能在彎曲部分的后表面上產生寄生等離子體，且可能對襯底和襯底支撐件造成物理損害。因此，可降低蝕刻速率和蝕刻均一性。

通常，提出利用各種裝置的對準方法以便最小化在襯底變形的狀態下執行的工藝。韓國公開專利第10-2005-0109443號公開了一種通過支撐襯底的形狀補償設備調整變形襯底的位置的方法。然而，所公開的設備和方法在于襯底的變形部分變直成平坦的狀態下執行工藝方面具有局限性。因此，需要能夠在襯底的變形部分變直成平坦的狀態下執行工藝的設備和方法。

現有技術文獻

(專利文獻1)KR 10-2005-0109443 A

發明內容

本公開涉及一種能夠在按壓襯底的狀態下執行處理工藝的襯底處理設備和一種襯底處理方法。

本公開涉及一種能夠在按壓和校正襯底的狀態下執行處理工藝的襯底處理設備和一種襯底處理方法。

根據示范性實施例，一種襯底處理設備包含：腔室，具有處理空間；氣體供應單元，配置成將處理氣體供應到處理空間中；襯底支撐件，設置于處理空間中以在中心區域處支撐襯底；中空按壓單元，沿著襯底的圓周設置以在于處理空間中下降時按壓襯底的邊緣；以及驅動單元，配置成為按壓單元豎直移動提供驅動力。

按壓單元可包含：邊緣夾具，包含其中心處的通孔；以及環形推環，耦合到邊緣夾具且配置成按壓襯底的邊緣。

襯底支撐件可包含邊緣區域處的突出覆蓋物，推環可包含：框架，由沿著襯底的圓周延伸的環形板形成；以及按壓部分，從框架向下延伸以接觸襯底的邊緣，且隨著推環下降，框架可形成框架的底部表面與覆蓋物的頂部表面之間的間隔空間。

可設置有多個按壓部分，所述按壓部分可具有指狀物形狀，所述指狀物形狀在延伸方向上的長度大于與延伸方向垂直的寬度，且所述多個按壓部分可沿著襯底的圓周彼此間隔開相等距離。

具有指狀物形狀的按壓部分可由彈性材料制成。

按壓部分可沿著襯底的邊緣延伸且與襯底的邊緣面接觸。

按壓部分可包含在其面向處理空間的表面的至少一部分上的傾斜表面，所述傾斜表面向襯底支撐件的頂部表面傾斜。

傾斜表面可相對于襯底支撐件的頂部表面具有傾斜，所述傾斜在傾斜表面的內側處比在外側處更加平緩。