[發明專利]襯底處理設備和襯底處理方法在審
| 申請號: | 202010165235.1 | 申請日: | 2020-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN113078097A | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發明(設計)人: | 安孝承;金俊浩;辛東烈 | 申請(專利權)人: | AP系統股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊貝貝;臧建明 |
| 地址: | 韓國京畿道華城市*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 處理 設備 方法 | ||
1.一種襯底處理設備,包括:
腔室,具有處理空間;
氣體供應單元,配置成將處理氣體供應到所述處理空間中;
襯底支撐件,設置于所述處理空間中以在中心區域處支撐襯底;
中空的按壓單元,沿著所述襯底的圓周設置以在于所述處理空間中下降時按壓所述襯底的邊緣;以及
驅動單元,配置成為所述按壓單元豎直移動提供驅動力。
2.根據權利要求1所述的襯底處理設備,其中所述按壓單元包括:
邊緣夾具,包括其中心處的通孔;以及
環形的推環,耦合到所述邊緣夾具且配置成按壓所述襯底的所述邊緣。
3.根據權利要求2所述的襯底處理設備,其中所述襯底支撐件包括邊緣區域處的突出覆蓋物,
所述推環包括:框架,由沿著所述襯底的所述圓周延伸的環形板形成;以及按壓部分,從所述框架向下延伸以接觸所述襯底的所述邊緣,且
隨著所述推環下降,所述框架形成所述框架的底部表面與所述覆蓋物的頂部表面之間的間隔空間。
4.根據權利要求3所述的襯底處理設備,其中設置有多個所述按壓部分,
所述按壓部分具有指狀物形狀,所述指狀物形狀在延伸方向上的長度大于與所述延伸方向垂直的方向的寬度,且所述按壓部分沿著所述襯底的所述圓周彼此間隔開相等距離。
5.根據權利要求4所述的襯底處理設備,其中具有所述指狀物形狀的所述按壓部分由彈性材料制成。
6.根據權利要求3所述的襯底處理設備,其中所述按壓部分沿著所述襯底的所述邊緣延伸且與所述襯底的所述邊緣面接觸。
7.根據權利要求6所述的襯底處理設備,其中所述按壓部分包括在其面向所述處理空間的表面的至少一部分上的傾斜表面,所述傾斜表面向所述襯底支撐件的頂部表面傾斜。
8.根據權利要求7所述的襯底處理設備,其中所述傾斜表面相對于所述襯底支撐件的所述頂部表面具有傾斜,所述傾斜在所述傾斜表面的內側處比在外側處更加平緩。
9.根據權利要求3所述的襯底處理設備,其中所述推環包括穿過以使得所述間隔空間與所述處理空間連通的連通通道。
10.根據權利要求9所述的襯底處理設備,其中設置有多個所述連通通道,且所述連通通道沿著所述襯底的所述圓周彼此間隔開相等距離。
11.根據權利要求2所述的襯底處理設備,其中所述邊緣夾具具有朝向所述邊緣夾具的中心向下且向內傾斜的內表面。
12.根據權利要求1所述的襯底處理設備,其中所述襯底支撐件進一步分別包括在豎直方向上穿過的多個通孔和安置于所述多個通孔中的多個抬升銷,且
所述驅動單元支撐所述多個抬升銷且允許所述多個抬升銷在移動所述按壓單元的同時一起在豎直方向上至少部分地移動。
13.根據權利要求12所述的襯底處理設備,其中所述驅動單元包括:
支撐板,安置在所述襯底支撐件下方以支撐所述多個抬升銷;
連接部分,配置成連接所述按壓單元和所述支撐板;以及
驅動部件,配置成為所述支撐板豎直移動提供驅動力,
其中所述連接部分具有大于所述多個抬升銷中的每一個的高度的高度。
14.根據權利要求1所述的襯底處理設備,進一步包括:
電極單元,設置于所述腔室中以在所述處理空間中產生等離子體;以及
功率單元,配置成將功率施加到所述電極單元以在所述襯底支撐件的上部部分處產生所述等離子體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





