[發(fā)明專(zhuān)利]一種改進(jìn)型ALD鍍膜機(jī)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010165165.X | 申請(qǐng)日: | 2020-03-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111218670A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭錦 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 南京原磊納米材料有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C16/455 | 分類(lèi)號(hào): | C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京專(zhuān)贏專(zhuān)利代理有限公司 11797 | 代理人: | 劉梅 |
| 地址: | 211800 江蘇省南京市*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 改進(jìn)型 ald 鍍膜 | ||
本發(fā)明屬于原子層鍍膜領(lǐng)域,具體是一種改進(jìn)型ALD鍍膜機(jī),包括在內(nèi)部上設(shè)置有半月板的內(nèi)反應(yīng)腔,和內(nèi)反應(yīng)腔蓋;在所述內(nèi)反應(yīng)腔蓋上貫穿有電機(jī)軸,而電機(jī)軸一端固定在步進(jìn)電機(jī)上,另一端與半月板連接;內(nèi)反應(yīng)腔蓋上開(kāi)設(shè)有多片呈環(huán)形陣列分布的通孔片區(qū),而通孔片區(qū)是由多個(gè)呈陣列分布的連接孔組成;所述半月板上放置有多個(gè)呈環(huán)形分布的晶圓;導(dǎo)入的氮?dú)馔ㄟ^(guò)內(nèi)反應(yīng)腔蓋上的通孔片區(qū)中的多個(gè)呈陣列分布的連接孔流向晶圓表面,發(fā)生化學(xué)反應(yīng),而多片呈環(huán)形陣列分布的通孔片區(qū)配合半月板相對(duì)內(nèi)反應(yīng)腔蓋轉(zhuǎn)動(dòng),實(shí)現(xiàn)氮?dú)饩鶆蛄飨蚓A表面,氮?dú)鈿饬鞣€(wěn)定,鍍膜的均勻性高;半月板上一次性放置有多個(gè)呈環(huán)形分布的晶圓進(jìn)行鍍膜,極大的提高了工作效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及原子層鍍膜領(lǐng)域,具體是一種改進(jìn)型ALD鍍膜機(jī)。
背景技術(shù)
已有的空間ALD(atomic layer deposition,單原子層沉積)機(jī)臺(tái)普遍體積較大,且結(jié)構(gòu)復(fù)雜,前驅(qū)體氣路和吹掃氣路作為不同的腔體,是完全分開(kāi)的;而另外多片工藝的ALD機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)如:Picosun (芬蘭ALD設(shè)備供應(yīng)商)都是利用金屬cassette(晶圓裝載盒)的方法,這種方法會(huì)導(dǎo)致運(yùn)送晶圓十分復(fù)雜,而且不穩(wěn)定,手動(dòng)取片比較多,如果使用自動(dòng)化的方法,經(jīng)常出現(xiàn)掉片的現(xiàn)象;ASM(美國(guó)ALD設(shè)備供應(yīng)商)及TEL(日本ALD設(shè)備供應(yīng)商)的多片式ALD爐子方法所使用氣體及前驅(qū)體使用效率低,會(huì)造成巨大的浪費(fèi)。
因此,針對(duì)上述問(wèn)題,本發(fā)明提供一種改進(jìn)型ALD鍍膜機(jī)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種改進(jìn)型ALD鍍膜機(jī),以解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種改進(jìn)型ALD鍍膜機(jī),包括在內(nèi)部上設(shè)置有半月板的內(nèi)反應(yīng)腔,所述該鍍膜機(jī)還包括內(nèi)反應(yīng)腔蓋,所述內(nèi)反應(yīng)腔蓋安裝在所述內(nèi)反應(yīng)腔頂部;
在所述內(nèi)反應(yīng)腔蓋上轉(zhuǎn)動(dòng)貫穿有電機(jī)軸,而電機(jī)軸一端固定在步進(jìn)電機(jī)的輸出軸上,另一端與半月板連接;其中,在靠近半月板一側(cè)的內(nèi)反應(yīng)腔蓋上開(kāi)設(shè)有多片呈環(huán)形陣列分布的通孔片區(qū),而通孔片區(qū)是由多個(gè)呈陣列分布的連接孔組成;
所述內(nèi)反應(yīng)腔蓋外接有前驅(qū)體源管道和氮?dú)夤艿溃?/p>
在靠近所述內(nèi)反應(yīng)腔蓋一側(cè)的半月板上放置有多個(gè)呈環(huán)形分布的晶圓;
啟動(dòng)步進(jìn)電機(jī),步進(jìn)電機(jī)通過(guò)電機(jī)軸帶動(dòng)半月板轉(zhuǎn)動(dòng),完成半月板相對(duì)內(nèi)反應(yīng)腔蓋轉(zhuǎn)動(dòng),氮?dú)夤艿乐袑?dǎo)入的氮?dú)馔ㄟ^(guò)內(nèi)反應(yīng)腔蓋上的通孔片區(qū)中的多個(gè)呈陣列分布的連接孔流向晶圓表面,發(fā)生化學(xué)反應(yīng),而多片呈環(huán)形陣列分布的通孔片區(qū)配合半月板相對(duì)內(nèi)反應(yīng)腔蓋轉(zhuǎn)動(dòng),實(shí)現(xiàn)氮?dú)饩鶆蛄飨蚓A表面,氮?dú)鈿饬鞣€(wěn)定,鍍膜的均勻性高;同時(shí)半月板上一次性放置有多個(gè)呈環(huán)形分布的晶圓進(jìn)行鍍膜,極大的提高了工作效率。
本發(fā)明進(jìn)一步的方案:在所述內(nèi)反應(yīng)腔蓋中心位置處配合電機(jī)軸開(kāi)設(shè)有穿插孔。
本發(fā)明再進(jìn)一步的方案:所述通孔片區(qū)在內(nèi)反應(yīng)腔蓋上開(kāi)設(shè)有十二個(gè),且呈環(huán)形陣列分布。
本發(fā)明再進(jìn)一步的方案:所述晶圓在半月板上放置有三個(gè),且半月板上開(kāi)始有用于限位晶圓的卡槽。
本發(fā)明再進(jìn)一步的方案:所述內(nèi)反應(yīng)腔外側(cè)安裝有隔熱屏,隔熱屏頂部可分離式限位在內(nèi)反應(yīng)腔蓋上,在隔熱屏內(nèi)部設(shè)置有多個(gè)電加熱絲。
本發(fā)明再進(jìn)一步的方案:在所述內(nèi)反應(yīng)腔底部連接有粉末收集器,粉末收集器另一端連接在真空泵上,而真空泵上連接有酸性排氣腔。
本發(fā)明再進(jìn)一步的方案:所述半月板上放置有三個(gè)呈環(huán)形分布的晶圓。
本發(fā)明再進(jìn)一步的方案:在所述內(nèi)反應(yīng)腔蓋上固定有電缸Ⅰ和電缸Ⅱ,而電缸Ⅰ和電缸Ⅱ安裝在電缸支架上。
進(jìn)而,啟動(dòng)電缸Ⅰ和電缸Ⅱ,并在電缸支架的支撐下,實(shí)現(xiàn)提升抬離內(nèi)反應(yīng)腔蓋。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





