[發(fā)明專利]掩膜版、版圖、光刻系統(tǒng)及其光刻工藝方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010161896.7
• 申請(qǐng)日: 2020-03-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111240149A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李偉峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/38
• 分類號(hào): G03F1/38;G03F7/20
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

一種掩膜版、版圖、光刻系統(tǒng)及其光刻工藝方法，掩膜版包括：基板，所述基板對(duì)于曝光光線具有透光性；遮光膜，所述遮光膜覆蓋所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主圖形及輔助圖形，所述主圖形對(duì)于曝光光線具有遮光性且可轉(zhuǎn)移，所述輔助圖形對(duì)于曝光光線具有遮光性但不可轉(zhuǎn)移。本發(fā)明能夠在保證主圖形正常轉(zhuǎn)移的同時(shí)降低所述掩膜版的透光率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜版、版圖、光刻系統(tǒng)及其光刻工藝方法。

背景技術(shù)

光刻工藝是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，常規(guī)光刻技術(shù)是采用波長(zhǎng)為2000～4500埃的紫外光作為曝光光線，以掩膜版為中間媒介實(shí)現(xiàn)圖形的變換、轉(zhuǎn)移和處理，最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質(zhì)層上的一種工藝。

光刻掩膜版是光刻工藝所使用的圖形母版，是由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜圖形結(jié)構(gòu)。掩膜版的應(yīng)用十分廣泛，在涉及光刻工藝的領(lǐng)域都有應(yīng)用，如IC(Integrated Circuit，集成電路)、FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)、PCB(PrintedCircuit Boards，印刷電路板)制造領(lǐng)域等。

但是，現(xiàn)有掩膜版的結(jié)構(gòu)仍有待改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種掩膜版、版圖、光刻系統(tǒng)及其光刻工藝方法，在保證主圖形正常轉(zhuǎn)移的同時(shí)能夠降低所述掩膜版的透光率。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種掩膜版，包括：基板，所述基板對(duì)于曝光光線具有透光性；遮光膜，所述遮光膜覆蓋所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主圖形及輔助圖形，所述主圖形對(duì)于曝光光線具有遮光性且可轉(zhuǎn)移，所述輔助圖形對(duì)于曝光光線具有遮光性但不可轉(zhuǎn)移。

可選的，所述輔助圖形呈直線狀、點(diǎn)狀或者曲線狀。

可選的，所述輔助圖形的寬度小于所述曝光光線波長(zhǎng)的四分之一。

可選的，所述輔助圖形與所述主圖形距離大于所述曝光光線波長(zhǎng)的二分之一。

可選的，所述輔助圖形的數(shù)量為一個(gè)或者多個(gè)。

可選的，當(dāng)所述輔助圖形的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，相鄰所述輔助圖形間距大于所述曝光光線波長(zhǎng)的三分之一。

相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種上述掩膜版的版圖，包括所述主圖形及輔助圖形。

相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種光刻系統(tǒng)，包括：光源，適于發(fā)出曝光光線；掩膜版，適于接收所述曝光光線，輸出攜帶所述主圖形的圖像信息的處理光線；投影光學(xué)系統(tǒng)，適于接收所述處理光線并對(duì)所述處理光線進(jìn)行投影；晶片，適于接收所述投影光學(xué)系統(tǒng)投影的所述處理光線，形成與所述主圖形對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移圖形。

可選的，所述晶片包括基底及覆蓋所述基底表面的光刻膠層。

相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種所述光刻系統(tǒng)的光刻工藝方法，包括：所述光源發(fā)出曝光光線；所述掩膜版接收所述曝光光線，并輸出攜帶所述主圖形的圖像信息的處理光線；所述投影光學(xué)系統(tǒng)接收所述處理光線，并將所述處理光線投影至所述晶片表面上；所述晶片接收所述投影光學(xué)系統(tǒng)投影的所述處理光線，形成與所述主圖形對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移圖形。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

所述掩膜版包括基板及遮光膜，所述基板對(duì)于曝光光線具有透光性，所述遮光膜覆蓋所述基板部分底部表面。所述遮光膜形成主圖形及輔助圖形。由于所述主圖形對(duì)于曝光光線具有遮光性且可轉(zhuǎn)移，因而所述主圖形可通過(guò)曝光過(guò)程轉(zhuǎn)移至晶片上。由于所述輔助圖形對(duì)于曝光光線具有遮光性但不可轉(zhuǎn)移，因此所述輔助圖形不會(huì)轉(zhuǎn)移至晶片上，因而不會(huì)影響到所述主圖形的正常轉(zhuǎn)移過(guò)程。再者，由于所述輔助圖形對(duì)于曝光光線具有遮光性，因此所述輔助圖形能夠降低曝光光線照射所述掩膜版的透光率，從而防止位于所述掩膜版與晶片間的投影光學(xué)系統(tǒng)發(fā)熱過(guò)快，更好地保護(hù)投影光學(xué)系統(tǒng)，延長(zhǎng)該系統(tǒng)的使用壽命。