[發(fā)明專利]掩膜版、版圖、光刻系統(tǒng)及其光刻工藝方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010161896.7
• 申請(qǐng)日: 2020-03-10
• 公開（公告）號(hào): CN111240149A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李偉峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/38
• 分類號(hào): G03F1/38;G03F7/20
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種掩膜版，其特征在于，包括：

基板，所述基板對(duì)于曝光光線具有透光性；

遮光膜，所述遮光膜覆蓋所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主圖形及輔助圖形，所述主圖形對(duì)于曝光光線具有遮光性且可轉(zhuǎn)移，所述輔助圖形對(duì)于曝光光線具有遮光性但不可轉(zhuǎn)移。

2.如權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述輔助圖形呈直線狀、點(diǎn)狀或者曲線狀。

3.如權(quán)利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述輔助圖形的寬度小于所述曝光光線波長的四分之一。

4.如權(quán)利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述輔助圖形與所述主圖形距離大于所述曝光光線波長的二分之一。

5.如權(quán)利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述輔助圖形的數(shù)量為一個(gè)或者多個(gè)。

6.如權(quán)利要求5所述的掩膜版，其特征在于，當(dāng)所述輔助圖形的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，相鄰所述輔助圖形間距大于所述曝光光線波長的三分之一。

7.如權(quán)利要求1所述的掩膜版的版圖，其特征在于，包括所述主圖形及輔助圖形。

8.一種光刻系統(tǒng)，其特征在于，包括：

光源，適于發(fā)出曝光光線；

如權(quán)利要求1所述的掩膜版，適于接收所述曝光光線，輸出攜帶所述主圖形的圖像信息的處理光線；

投影光學(xué)系統(tǒng)，適于接收所述處理光線并對(duì)所述處理光線進(jìn)行投影；

晶片，適于接收所述投影光學(xué)系統(tǒng)投影的所述處理光線，形成與所述主圖形對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移圖形。

9.如權(quán)利要求8所述的光刻系統(tǒng)，其特征在于，所述晶片包括基底及覆蓋所述基底表面的光刻膠層。

10.如權(quán)利要求8所述的光刻系統(tǒng)的光刻工藝方法，其特征在于，包括：

所述光源發(fā)出曝光光線；

所述掩膜版接收所述曝光光線，并輸出攜帶所述主圖形的圖像信息的處理光線；

所述投影光學(xué)系統(tǒng)接收所述處理光線，并將所述處理光線投影至所述晶片表面上；

所述晶片接收所述投影光學(xué)系統(tǒng)投影的所述處理光線，形成與所述主圖形對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移圖形。