[發(fā)明專利]反應(yīng)腔室

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010161690.4
• 申請(qǐng)日: 2020-03-10
• 公開（公告）號(hào): CN111364022B
• 公開（公告）日: 2023-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何中凱;榮延棟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/455
• 分類號(hào): C23C16/455;C23C16/458;H01L21/768;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;魏艷新

本發(fā)明提供了一種反應(yīng)腔室，包括：腔體和設(shè)置在腔體內(nèi)的基座，基座包括用于承載基片的承載部和環(huán)繞承載部的邊緣部，承載部的上表面的高度大于邊緣部的上表面的高度，其中，反應(yīng)腔室還包括：第一擋環(huán)，所述第一擋環(huán)設(shè)置在所述邊緣部的上表面且環(huán)繞所述承載部設(shè)置，且所述承載部的上表面高于所述第一擋環(huán)的上表面；第二檔環(huán)，第二擋環(huán)設(shè)置在第一擋環(huán)背離邊緣部的一側(cè)，且包括：本體部和設(shè)置在本體部遠(yuǎn)離第一擋環(huán)一側(cè)的遮擋部，遮擋部突出于第二擋環(huán)靠近承載部的表面，遮擋部用于遮擋基片的邊緣。本發(fā)明可以使基片所在區(qū)域的工藝氣體流速更均勻，提高基片整體的膜厚均勻性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種反應(yīng)腔室。

背景技術(shù)

鎢塞(W-plug)是在半導(dǎo)體行業(yè)中廣泛應(yīng)用的一道工藝，它將金屬鎢填充于孔洞(Via)或溝槽(Trench)中，利用金屬鎢的良好導(dǎo)電性和抗電遷移特性，實(shí)現(xiàn)前道器件與后道器件之間電導(dǎo)通的工藝需求。

當(dāng)前行業(yè)中采用氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition，CVD) 法進(jìn)行鎢的沉積，目前，為避免工藝過(guò)程中鎢在基片邊緣沉積，需要在基片邊緣留有去邊(Edgeexclusion)區(qū)域，故需要在基片邊緣增加邊緣吹掃(Edge purge)氣流。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的氣相沉積工藝中基片邊緣的吹掃氣流的示意圖，如圖1所示，在進(jìn)行工藝時(shí)，在基座1邊緣設(shè)置有上擋環(huán)6和下?lián)醐h(huán)7，上擋環(huán)6的內(nèi)緣部分對(duì)基片2 的邊緣有一定的遮擋，且在垂直方向上與基片2之間留有空隙。于是在上擋環(huán)6、下?lián)醐h(huán)7、基座1和基片2之間形成了吹掃氣道，當(dāng)邊緣吹掃氣流從該氣道吹出時(shí)(沿圖1中虛線箭頭所指)，分布在基片 2表面被上擋環(huán)6遮擋的區(qū)域的反應(yīng)物被吹走，因此該區(qū)域不會(huì)沉積薄膜，由此則可以在基片2表面形成所需要的去邊區(qū)域。而反應(yīng)后的殘余氣體經(jīng)過(guò)上擋環(huán)6的上表面與反應(yīng)腔室頂部之間的排氣流道進(jìn)入排氣口，排出反應(yīng)腔室。

然而，為使上擋環(huán)6可以位于基片2表面上方以進(jìn)行遮擋，下?lián)醐h(huán)7的上表面通常高于基片2的上表面，導(dǎo)致上擋環(huán)6的上表面與反應(yīng)腔室的腔室上蓋51之間的排氣流道較窄，流經(jīng)此處的工藝氣體流速較快，在基片2邊緣停留時(shí)間短，進(jìn)而導(dǎo)致基片2邊緣上成膜的厚度較薄，基片2上整體的膜厚均勻性較差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一，提出了一種反應(yīng)腔室，包括：腔體和設(shè)置在所述腔體內(nèi)的基座，所述基座包括用于承載基片的承載部和環(huán)繞所述承載部的邊緣部，所述承載部的上表面的高度大于所述邊緣部的上表面的高度，所述反應(yīng)腔室還包括：

第一擋環(huán)，所述第一擋環(huán)設(shè)置在所述邊緣部的上表面且環(huán)繞所述承載部設(shè)置，且所述承載部的上表面高于所述第一擋環(huán)的上表面；

第二擋環(huán)，所述第二擋環(huán)設(shè)置在所述第一擋環(huán)背離所述邊緣部的一側(cè)，且包括：本體部和設(shè)置在所述本體部遠(yuǎn)離所述第一擋環(huán)一側(cè)的遮擋部，所述遮擋部突出于所述第二擋環(huán)靠近所述承載部的表面，所述遮擋部用于遮擋所述基片的邊緣。

可選地，所述遮擋部的下表面與所述承載部的上表面之間具有第一預(yù)設(shè)豎直間距。

可選地，所述本體部的上表面與所述承載部的上表面之間具有第二預(yù)設(shè)豎直間距，且所述第二預(yù)設(shè)間距小于或等于所述第一預(yù)設(shè)豎直間距。

可選地，所述遮擋部包括沿靠近所述承載部的方向依次設(shè)置的：內(nèi)環(huán)部、平坦部和外環(huán)部；

沿靠近所述承載部的方向，所述內(nèi)環(huán)部的厚度逐漸減小，所述外環(huán)部的厚度逐漸增大。

可選地，所述遮擋部平行于所述第二擋環(huán)徑向的縱截面為梯形。

可選地，所述內(nèi)環(huán)部、所述外環(huán)部和所述平坦部沿所述第二擋環(huán)的徑向尺寸相同。

可選地，所述第一擋環(huán)和所述第二擋環(huán)同軸設(shè)置。

可選地，所述第二擋環(huán)的本體部的厚度在2mm至8mm之間，所述遮擋部的厚度在0.7mm至2.7mm之間。