[發(fā)明專利]反應腔室

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010161690.4
• 申請日: 2020-03-10
• 公開（公告）號: CN111364022B
• 公開（公告）日: 2023-02-10
• 發(fā)明（設計）人: 何中凱;榮延棟
• 申請（專利權）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/458;H01L21/768;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;魏艷新

1.一種反應腔室，包括：腔體和設置在所述腔體內的基座，所述基座包括用于承載基片的承載部和環(huán)繞所述承載部的邊緣部，所述承載部的上表面的高度大于所述邊緣部的上表面的高度，其特征在于，所述反應腔室還包括第一擋環(huán)和第二擋環(huán)，其中：

所述第一擋環(huán)設置在所述邊緣部的上表面且環(huán)繞所述承載部設置，且所述承載部的上表面高于所述第一擋環(huán)的上表面，以降低所述第二擋環(huán)的高度，增加所述第二擋環(huán)與所述反應腔室頂部之間的排氣流道的尺寸；

所述第二擋環(huán)設置在所述第一擋環(huán)背離所述邊緣部的一側，且包括：本體部和設置在所述本體部遠離所述第一擋環(huán)一側的遮擋部，所述遮擋部突出于所述第二擋環(huán)靠近所述承載部的表面，所述遮擋部用于遮擋所述基片的邊緣。

2.根據(jù)權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述遮擋部的下表面與所述承載部的上表面之間具有第一預設豎直間距。

3.根據(jù)權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，所述本體部的上表面與所述承載部的上表面之間具有第二預設豎直間距，且所述第二預設豎直間距小于或等于所述第一預設豎直間距。

4.根據(jù)權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述遮擋部包括沿靠近所述承載部的方向依次設置的：內環(huán)部、平坦部和外環(huán)部；

沿靠近所述承載部的方向，所述內環(huán)部的厚度逐漸減小，所述外環(huán)部的厚度逐漸增大。

5.根據(jù)權利要求4所述的反應腔室，其特征在于，所述遮擋部平行于所述第二擋環(huán)徑向的縱截面為梯形。

6.根據(jù)權利要求4所述的反應腔室，其特征在于，所述內環(huán)部、所述外環(huán)部和所述平坦部沿所述第二擋環(huán)的徑向尺寸相同。

7.根據(jù)權利要求1至6中任意一項所述的反應腔室，其特征在于，所述第一擋環(huán)和所述第二擋環(huán)同軸設置。

8.根據(jù)權利要求1至6中任意一項所述的反應腔室，其特征在于，所述第二擋環(huán)的本體部的厚度在2mm至8 mm之間，所述遮擋部的厚度在0.7mm至2.7mm之間。

9.根據(jù)權利要求1至6中任意一項所述的反應腔室，其特征在于，所述第二擋環(huán)的本體部和所述遮擋部形成為一體結構。

10.根據(jù)權利要求1至6中任意一項所述的反應腔室，其特征在于，所述反應腔室為化學氣相沉積腔室，且所述腔體的頂壁上設置有進氣通道，所述腔體的側壁上設置有排氣通道。