[發明專利]GOA電路、GOA膜層結構、GOA膜層結構制備方法和顯示面板有效
| 申請號: | 202010160500.7 | 申請日: | 2020-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN111341791B | 公開(公告)日: | 2023-08-01 |
| 發明(設計)人: | 薛炎 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1345;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 呂姝娟 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | goa 電路 結構 制備 方法 顯示 面板 | ||
本申請涉及一種GOA電路、GOA膜層結構、GOA膜層結構制備方法和顯示面板;所述GOA電路包括修復網絡;修復網絡與GOA電路的金屬走線區和TFT電路區間隔設置,且覆蓋金屬走線區和TFT電路區;其中,修復網絡用于在TFT電路區內的側向CK金屬走線斷裂時,將側向CK金屬走線進行導電連通,通過相隔GOA電路的金屬走線區和TFT電路區設置修復網絡,當GOA電路的TFT電路區內某處的側向CK金屬走線出現斷裂情況時,利用修復網絡對應位置的導電線,將斷裂的側向CK金屬走線進行導電連通,從而保證GOA電路正常運行,保證GOA電路的級傳有效,且該修復方式無需另增工藝制程,避免提高制造成本。
技術領域
本申請涉及顯示驅動技術,特別是涉及一種GOA電路、GOA膜層結構、GOA膜層結構制備方法和顯示面板。
背景技術
隨著顯示技術的不斷發展,顯示屏的驅動技術也取得了長足的進步,為提高顯示屏的性能提供了巨大的助力,其中,GOA(Gate?Driver?on?Array,陣列基板行驅動)技術使得顯示屏邊框更窄,厚度更薄,集成度更高,產品形態更豐富,工藝流程更簡化,未來產品更有競爭力,并可降低制造成本,提高模組良率。
但是,在實現過程中,發明人發現傳統技術中至少存在如下問題:傳統GOA電路中的金屬線易斷裂,導致GOA電路的級傳完全失效。
發明內容
基于此,有必要針對傳統GOA電路中的金屬線易斷裂,導致GOA電路的級傳完全失效的問題,提供一種GOA電路、GOA膜層結構、GOA膜層結構制備方法和顯示面板。
為了實現上述目的,本申請實施例提供了一種GOA電路,包括修復網絡;
修復網絡與GOA電路的金屬走線區和TFT電路區間隔設置,且覆蓋金屬走線區和TFT電路區;
其中,修復網絡用于在TFT電路區內的側向CK金屬走線斷裂時,將側向CK金屬走線進行導電連通。
在其中一個實施例中,修復網絡還用于在TFT電路區內的級傳走線斷裂時,將級傳走線進行導電連通。
在其中一個實施例中,修復網絡還用于在金屬走線區內的CK金屬走線斷裂時,將CK金屬走線進行導電連通。
在其中一個實施例中,修復網絡為由ITO/Ag/ITO材料制成導電網絡。
一種GOA膜層結構,包括修復網絡層;
修復網絡層的一端部設于GOA膜層結構的平坦層內,另一端部延伸至平坦層上;修復網絡層覆蓋GOA膜層結構的金屬走線區和TFT電路區;
其中,修復網絡層用于在TFT電路區內的側向CK金屬走線層斷裂時,將側向CK金屬走線層進行導電連通。
在其中一個實施例中,修復網絡層還用于在TFT電路區內的級傳走線層斷裂時,將級傳走線層進行導電連通。
在其中一個實施例中,修復網絡層還用于在金屬走線區內的CK金屬走線層斷裂時,將CK金屬走線層進行導電連通。
在其中一個實施例中,還包括玻璃基板、避光層、緩沖層、有源層、柵極絕緣層、柵極層、層間介電層、源漏金屬層、鈍化層、平坦層和像素定義層;
避光層設于玻璃基板上;緩沖層設于玻璃基板上,并覆蓋避光層;
層間介電層疊加在緩沖層之上;有源層、柵極絕緣層和柵極層依次疊加在緩沖層之上,且設于層間介電層內;
鈍化層、平坦層和像素定義層依次疊加在層間介電層之上;像素定義層覆蓋修復網絡層的另一端部;
源漏金屬層的一端插入層間介電層內,并與有源層機械連接;源漏金屬層的另一端插入鈍化層內。
一種GOA膜層結構制備方法,包括以下步驟:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





