[發明專利]GOA電路、GOA膜層結構、GOA膜層結構制備方法和顯示面板有效
| 申請號: | 202010160500.7 | 申請日: | 2020-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN111341791B | 公開(公告)日: | 2023-08-01 |
| 發明(設計)人: | 薛炎 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1345;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 呂姝娟 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | goa 電路 結構 制備 方法 顯示 面板 | ||
1.一種GOA電路,其特征在于,包括修復網絡;
所述修復網絡與所述GOA電路的金屬走線區和TFT電路區間隔設置,且覆蓋所述金屬走線區和所述TFT電路區,所述修復網絡包括多個網格,多個所述網格一一對應地圍住所述TFT電路區內的GOA單元,所述GOA單元的金屬走線區包括沿第一方向排布的金屬走線區內的CK金屬走線以及沿第二方向排布的側向CK金屬走線;
所述修復網絡包括縱向走線以及橫向走線,所述縱向走線包括同層設置的第一縱向走線以及第二縱向走線,所述第一縱向走線與所述金屬走線區內的CK金屬走線異層且沿所述第一方向平行設置,所述橫向走線設于相鄰兩個所述TFT電路區之間,所述第一縱向走線與多條所述橫向走線的一端電連接,所述橫向走線與所述側向CK金屬走線沿所述第二方向平行且一一對應設置,所述第二縱向走線的一端與所述橫向走線電連接,所述第二縱向走線的另一端延伸至相鄰的所述側向CK金屬走線位置,所述側向CK金屬走線與至少兩條所述第二縱向走線對應設置,所述第二方向為多個所述GOA單元排布的方向,所述第一方向與所述第二方向交叉;
其中,所述修復網絡用于在所述TFT電路區內的金屬走線區內的CK金屬走線、所述側向CK金屬走線斷裂時,將所述網格中與所述金屬走線區內的CK金屬走線、所述側向CK金屬走線斷裂處對應的部分截斷,將截斷出來的修復線段與所述金屬走線區內的CK金屬走線、所述側向CK金屬走線進行熔接,將所述金屬走線區內的CK金屬走線、所述側向CK金屬走線進行導電連通。
2.根據權利要求1所述的GOA電路,其特征在于,所述修復網絡還用于在所述TFT電路區內的級傳走線斷裂時,將所述級傳走線進行導電連通。
3.根據權利要求1所述的GOA電路,其特征在于,所述修復網絡還用于在所述金屬走線區內的CK金屬走線斷裂時,將所述CK金屬走線進行導電連通。
4.根據權利要求1至3中任意一項所述的GOA電路,其特征在于,所述修復網絡為由ITO/Ag/ITO材料制成導電網絡。
5.一種GOA膜層結構,其特征在于,包括修復網絡層;
所述修復網絡層的一端部設于GOA膜層結構的平坦層內,另一端部延伸至所述平坦層上;所述修復網絡層覆蓋所述GOA膜層結構的金屬走線區和TFT電路區,所述修復網絡層設有多個網格,多個所述網格一一對應地圍住所述TFT電路區內的GOA單元,所述GOA單元的金屬走線區包括沿第一方向排布的金屬走線區內的CK金屬走線以及沿第二方向排布的側向CK金屬走線;
所述修復網絡包括縱向走線以及橫向走線,所述縱向走線包括同層設置的第一縱向走線以及第二縱向走線,所述第一縱向走線與所述金屬走線區內的CK金屬走線異層且沿所述第一方向平行設置,所述橫向走線設于相鄰兩個所述TFT電路區之間,所述第一縱向走線與多條所述橫向走線的一端電連接,所述橫向走線與所述側向CK金屬走線沿所述第二方向平行且一一對應設置,所述第二縱向走線的一端與所述橫向走線電連接,所述第二縱向走線的另一端延伸至相鄰的所述側向CK金屬走線位置,所述側向CK金屬走線與至少兩條所述第二縱向走線對應設置,所述第二方向為多個所述GOA單元排布的方向,所述第一方向與所述第二方向交叉;
其中,所述修復網絡用于在所述TFT電路區內的金屬走線區內的CK金屬走線、所述側向CK金屬走線斷裂時,將所述網格中與所述金屬走線區內的CK金屬走線、所述側向CK金屬走線斷裂處對應的部分截斷,將截斷出來的修復線段與所述金屬走線區內的CK金屬走線、所述側向CK金屬走線進行熔接,將所述金屬走線區內的CK金屬走線、所述側向CK金屬走線進行導電連通。
6.根據權利要求5所述的GOA膜層結構,其特征在于,所述修復網絡層還用于在所述TFT電路區內的級傳走線層斷裂時,將所述級傳走線層進行導電連通。
7.根據權利要求5所述的GOA膜層結構,其特征在于,所述修復網絡層還用于在所述金屬走線區內的CK金屬走線層斷裂時,將所述CK金屬走線層進行導電連通。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





