[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置及該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010160335.5
• 申請(qǐng)日: 2020-03-10
• 公開（公告）號(hào): CN112310104A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金南局;李南宰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11568
• 分類號(hào): H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括：

摻雜半導(dǎo)體圖案，該摻雜半導(dǎo)體圖案包括主體部分以及在第一方向上從所述主體部分突出的第一突起；

第一溝道圖案，該第一溝道圖案設(shè)置在所述第一突起的頂表面上并在所述第一方向上延伸；

第一存儲(chǔ)器圖案，該第一存儲(chǔ)器圖案圍繞所述第一溝道圖案的側(cè)壁并且延伸以圍繞所述第一突起的側(cè)壁；以及

在所述第一方向上彼此交替地層疊的多個(gè)層間絕緣層和多個(gè)導(dǎo)電圖案，

其中，多個(gè)所述層間絕緣層和多個(gè)所述導(dǎo)電圖案中的每一個(gè)圍繞所述第一存儲(chǔ)器圖案。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中，所述主體部分包括：

上圖案，該上圖案從所述第一突起沿著所述第一存儲(chǔ)器圖案的底表面延伸；

第一水平圖案，該第一水平圖案從所述上圖案平行于層疊結(jié)構(gòu)的底表面延伸，所述層疊結(jié)構(gòu)包括多個(gè)所述層間絕緣層和多個(gè)所述導(dǎo)電圖案；

聯(lián)接圖案，該聯(lián)接圖案在與所述第一方向相反的第二方向上從所述第一水平圖案延伸；以及

第二水平圖案，該第二水平圖案從所述聯(lián)接圖案平行于所述第一水平圖案延伸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中，所述摻雜半導(dǎo)體圖案還包括在與所述第一方向相反的第二方向上從所述主體部分突出的第二突起。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置還包括：

第二溝道圖案，該第二溝道圖案設(shè)置在所述第二突起的底表面上；

第二存儲(chǔ)器圖案的圍繞所述第二突起的側(cè)壁的第一部分以及所述第二存儲(chǔ)器圖案的從所述第一部分延伸以圍繞所述第二溝道圖案的底表面和側(cè)表面的第二部分；以及

第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層圍繞所述第二存儲(chǔ)器圖案并且與所述主體部分接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中，所述主體部分包括：

上圖案，該上圖案從所述第一突起沿著所述第一存儲(chǔ)器圖案的底表面延伸；

下圖案，該下圖案從所述第二突起沿著所述第二存儲(chǔ)器圖案的頂表面延伸；

第一水平圖案，該第一水平圖案從所述上圖案平行于層疊結(jié)構(gòu)的底表面延伸，所述層疊結(jié)構(gòu)包括多個(gè)所述層間絕緣層和多個(gè)所述導(dǎo)電圖案；

第二水平圖案，該第二水平圖案從所述下圖案平行于所述第一半導(dǎo)體層的頂表面延伸；以及

聯(lián)接圖案，該聯(lián)接圖案從所述第一水平圖案朝著所述第二水平圖案延伸。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中，所述第一半導(dǎo)體層包括摻雜半導(dǎo)體層或未摻雜半導(dǎo)體層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置還包括設(shè)置在層疊結(jié)構(gòu)與所述主體部分之間的第二半導(dǎo)體層，其中，所述層疊結(jié)構(gòu)包括多個(gè)所述層間絕緣層和多個(gè)所述導(dǎo)電圖案。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中，所述第二半導(dǎo)體層包括硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置還包括形成在層疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的側(cè)壁絕緣層，其中，所述層疊結(jié)構(gòu)包括多個(gè)所述層間絕緣層和多個(gè)所述導(dǎo)電圖案。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，其中，所述摻雜半導(dǎo)體圖案包括摻雜硅。