[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件制造的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010159948.7
• 申請(qǐng)日: 2020-03-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112305858A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山添賢治;雷俊江;彭丹平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/70
• 分類號(hào): G03F1/70;G03F7/20;H01L21/033
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

提供半導(dǎo)體元件制造的方法。在實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體元件制造的方法包括接收包括第一遮罩函數(shù)的第一遮罩設(shè)計(jì)，決定曝光工具的透射交叉系數(shù)(TCC)，將TCC分解為復(fù)數(shù)階個(gè)特征值及復(fù)數(shù)階個(gè)特征函數(shù)，基于復(fù)數(shù)階個(gè)特征值及復(fù)數(shù)階個(gè)特征函數(shù)來(lái)計(jì)算內(nèi)核，以及通過(guò)對(duì)第一遮罩函數(shù)與內(nèi)核進(jìn)行卷積來(lái)決定第一次解析度輔助特征(SRAF)種圖。

技術(shù)領(lǐng)域

本揭露大體上關(guān)于半導(dǎo)體元件制造的方法。更具體而言，本揭露關(guān)于用于產(chǎn)生SRAF種圖的方法以用作SRAF置放。

背景技術(shù)

電子行業(yè)已經(jīng)歷對(duì)于更小且更快的電子元件的不斷增長(zhǎng)的需求，用以支援更大數(shù)目日益復(fù)雜且繁復(fù)的功能。因此，在半導(dǎo)體行業(yè)中存在制造低成本、高效能且低功耗的集成電路(IC)的持續(xù)趨勢(shì)。迄今為止，通過(guò)縮小半導(dǎo)體IC的尺寸(例如，最小特征大小)并借此提高生產(chǎn)效率并降低相關(guān)聯(lián)成本，已很大程度上達(dá)成了此些目標(biāo)。然而，此縮小亦增加半導(dǎo)體制造制程中的復(fù)雜性。因此，半導(dǎo)體IC及元件的持續(xù)進(jìn)步的實(shí)現(xiàn)要求半導(dǎo)體制造制程及技術(shù)的類似進(jìn)步。

僅作為一個(gè)實(shí)例，通過(guò)使用一或更多種解析度增強(qiáng)技術(shù)(RET)(諸如，相轉(zhuǎn)移遮罩(PSM)、離軸照明(OAI)、光學(xué)臨近校正(OPC)以及將次解析度輔助特征(sub-resolutionassist feature,SRAF)插入設(shè)計(jì)布局中)來(lái)擴(kuò)展給定微影產(chǎn)生的可用解析度，已實(shí)現(xiàn)了IC尺寸的縮小。已提出若干SRAF插入或置放技術(shù)。其中一些(是基于規(guī)則的)具有相對(duì)較短的周轉(zhuǎn)時(shí)間，但具有遠(yuǎn)非理想的準(zhǔn)確度。其中一些使用遮罩最佳化的多次迭代來(lái)獲得優(yōu)良的準(zhǔn)確度，但每次SRAF插入操作皆耗費(fèi)長(zhǎng)時(shí)間。因此，現(xiàn)有技術(shù)尚未證明在所有方面完全令人滿意。

發(fā)明內(nèi)容

本揭露的實(shí)施例中的一者描述一種用于制造半導(dǎo)體元件的方法。此方法包括接收包括第一遮罩函數(shù)的第一遮罩設(shè)計(jì)，決定曝光工具的透射交叉系數(shù)(TCC)，將TCC分解為復(fù)數(shù)階個(gè)特征值及復(fù)數(shù)階個(gè)特征函數(shù)，基于復(fù)數(shù)階個(gè)特征值及復(fù)數(shù)階個(gè)特征函數(shù)來(lái)計(jì)算內(nèi)核，以及通過(guò)對(duì)第一遮罩函數(shù)與內(nèi)核進(jìn)行卷積來(lái)決定第一次解析度輔助特征(SRAF)種圖。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合隨附諸圖閱讀以下詳細(xì)描述時(shí)，得以自以下詳細(xì)描述最佳地理解本揭露的態(tài)樣。應(yīng)注意，根據(jù)行業(yè)上的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)務(wù)，各種特征未按比例繪制。事實(shí)上，為了論述清楚，可任意地增大或減小各種特征的尺寸。

圖1為根據(jù)本揭露的各種態(tài)樣的半導(dǎo)體元件制造方法的實(shí)施例的流程圖；

圖2為根據(jù)本揭露的各種態(tài)樣的圖1中的方法的制程步驟的示意性圖示；

圖3為根據(jù)本揭露的各種態(tài)樣中對(duì)遮罩上的兩點(diǎn)的示意性圖示；

圖4為根據(jù)本揭露的各種態(tài)樣中對(duì)曝光工具的部件的示意性圖示；

圖5為根據(jù)本揭露的各種態(tài)樣的半導(dǎo)體元件制造方法的實(shí)施例的流程圖；

圖6為根據(jù)本揭露的各種態(tài)樣的圖5中的方法的制程步驟的示意性圖示；

圖7為根據(jù)本揭露的各種態(tài)樣中在理想遮罩上照明繞射的示意性圖示；

圖8為根據(jù)本揭露的各種態(tài)樣中對(duì)具有厚度的現(xiàn)實(shí)遮罩處的照明繞射的示意性圖示；

圖9為根據(jù)本揭露的各種態(tài)樣中考慮到遮罩三維(3D)效應(yīng)的半導(dǎo)體元件制造方法的實(shí)施例的流程圖；

圖10為根據(jù)本揭露的各種態(tài)樣的圖9中的方法的制程步驟的示意性圖示。

【符號(hào)說(shuō)明】

100:方法

102:方塊

104:方塊

106:方塊

108:方塊

110:方塊