[發(fā)明專利]半導體元件制造的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010159948.7
• 申請日: 2020-03-10
• 公開（公告）號: CN112305858A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 山添賢治;雷俊江;彭丹平
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F1/70
• 分類號: G03F1/70;G03F7/20;H01L21/033
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導體元件制造的方法，其特征在于，包括：

接收包括一第一遮罩函數(shù)的一第一遮罩設計；

決定一曝光工具的一透射交叉系數(shù)；

將該透射交叉系數(shù)分解為復數(shù)階個特征值及復數(shù)階個特征函數(shù)；

基于該復數(shù)階個特征值及該復數(shù)階個特征函數(shù)來計算一內(nèi)核；以及

通過對該第一遮罩函數(shù)與該內(nèi)核進行卷積來決定一第一次解析度輔助特征種圖。