[發明專利]一種激光裝置及其制備方法及應用

有效

• 申請號: 202010159587.6
• 申請日: 2020-03-10
• 公開（公告）號: CN111009820B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 張成;梁棟
• 申請（專利權）人: 常州縱慧芯光半導體科技有限公司
• 主分類號: H01S5/00
• 分類號: H01S5/00;H01S5/187
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 王華英

1.一種激光裝置，其特征在于，其包括：

激光芯片，其設有脊形波導結構或臺面結構，所述激光芯片上設有出光區域，所述出光區域分別對應設置于所述脊形波導結構或所述臺面結構中，所述激光芯片包括襯底、P電極、N型半導體層和有源層；

出射光柵，其設置在所述出光區域中，用于調整入射光波的出射角度，所述出射光柵設置于所述脊形波導結構表面或所述出射光柵掩埋于所述脊形波導結構中靠近襯底一側的N型半導體層中或所述出射光柵設置于所述臺面結構表面；

耦合光柵，其設置在所述激光芯片上，且位于所述出光區域的至少一側，在具有所述脊形波導結構的激光芯片中，所述耦合光柵與所述出射光柵并排設置，所述耦合光柵設置于所述脊形波導結構表面或所述耦合光柵掩埋于所述脊形波導結構中靠近襯底一側的N型半導體層中；在具有所述臺面結構的激光芯片中，所述耦合光柵設置于激光芯片中所述臺面結構的一側的表面；

所述P電極設置在所述脊形波導結構或所述臺面結構上，所述臺面結構與所述出射光柵、所述P電極及所述有源層位于同一垂直線上，或所述脊形波導結構與所述耦合光柵、所述P電極及所述有源層位于同一垂直線上。

2.根據權利要求1所述一種激光裝置，其特征在于，所述出射光柵的間距周期為0.1μm-10μm。

3.一種激光裝置的制備方法，其特征在于，其包括：

制備激光芯片，所述激光芯片設有脊形波導結構或臺面結構，在所述激光芯片上形成出光區域，所述出光區域分別對應設置于所述脊形波導結構或所述臺面結構中，在所述激光芯片中依次形成襯底、P電極、N型半導體層和有源層；

在所述出光區域形成出射光柵，所述出射光柵設置于所述脊形波導結構表面或所述出射光柵掩埋于所述脊形波導結構中靠近襯底一側的N型半導體層中或所述出射光柵設置于所述臺面結構表面，用于調整入射光波的出射角度；

在所述出光區域的至少一側形成耦合光柵，在具有所述脊形波導結構的激光芯片中，所述耦合光柵與所述出射光柵并排設置，所述耦合光柵形成于所述脊形波導結構表面或所述出射光柵掩埋于所述脊形波導結構中靠近襯底一側的N型半導體層中，所述耦合光柵設置的位置與所述P電極設置的位置相對應，在具有所述臺面結構的激光芯片中，所述耦合光柵形成于激光芯片中所述臺面結構的一側的表面；

所述P電極設置在所述脊形波導結構或所述臺面結構上，所述臺面結構與所述出射光柵、所述P電極及所述有源層位于同一垂直線上，或所述脊形波導結構與所述耦合光柵、所述P電極及所述有源層位于同一垂直線上。

4.一種電子設備，其特征在于，其包括：

殼體，其上設有一敞口；

透光屏，其安裝在所述殼體的敞口上，與所述殼體形成一容納腔；

多個激光裝置，設置在所述容納腔內且并排放置，每個所述激光裝置上設有開關，每個所述激光裝置包括：

激光芯片，其包括脊形波導結構或臺面結構，所述激光芯片上設有出光區域，所述出光區域分別對應設置于所述脊形波導結構或所述臺面結構中，所述激光芯片包括襯底、P電極、N型半導體層和有源層；

出射光柵，其設置在所述出光區域中，用于調整入射光波的出射角度，所述出射光柵設置于所述脊形波導結構表面或所述出射光柵掩埋于所述脊形波導結構中或所述出射光柵設置于所述臺面結構表面；

耦合光柵，其設置在所述激光芯片上，且位于所述出光區域的至少一側，在具有所述脊形波導結構的激光芯片中，所述耦合光柵與所述出射光柵并排設置，所述耦合光柵設置于所述脊形波導結構表面或所述耦合光柵掩埋于所述脊形波導結構中，所述耦合光柵設置的位置與所述P電極設置的位置相對應，在具有所述臺面結構的激光芯片中，所述耦合光柵設置于激光芯片中所述臺面結構的一側的表面；

所述P電極設置在所述脊形波導結構或所述臺面結構上，所述臺面結構與所述出射光柵、所述P電極及所述有源層位于同一垂直線上，或所述脊形波導結構與所述耦合光柵、所述P電極及所述有源層位于同一垂直線上；

控制系統，其與所述多個激光裝置的開關連接，通過控制每個所述激光裝置上的開關相繼地打開和關閉使所述多個激光裝置的發射場覆蓋所需視場；

光接收裝置，其設置在所述容納腔內，用于接收所述所需視場反饋的光信號。