[發明專利]扇出型堆迭式半導體封裝結構的多層模封方法

在審

• 申請號: 202010158099.3
• 申請日: 2020-03-09
• 公開（公告）號: CN113363166A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 劉圣捷
• 申請（專利權）人: 力成科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 張燕華

1.一種扇出型堆迭式半導體封裝結構的多層模封方法，其特征在于，包括：

(a)提供一扇出型半導體封裝制程用的載板；

(b)于該載板上形成多個第一封裝結構；

(c)將該些第一封裝結構置入一第一模塑空間中，以形成一第一封膠體，該第一封膠體包覆該些第一封裝結構；

(d)于該第一封膠體的一外露表面形成一第一重布線層；

(e)于該第一重布線層上形成多個第二封裝結構；

(f)將該第一封膠體、該第一重布線層及該些第二封裝結構置入一第二模塑空間中，以形成一第二封膠體，該第二封膠體包覆該第一封膠體及該第一重布線層；其中該第二模塑空間大于該第一模塑空間；

(g)移除該載板；以及

(h)進行切單步驟以形成多顆扇出型堆迭式半導體封裝結構。

2.如權利要求1所述的多層模封方法，其特征在于，于步驟(f)移除該載板后，該第一封裝結構對應該載板的一表面外露，于該第一封裝結構的外露表面形成多個外連接件。

3.如權利要求1或2所述的多層模封方法，其特征在于，該步驟(b)包含：

(b1)于該載板上形成一第二重布線層；

(b2)將多個第一晶片的背面黏貼于該第二重布線層上，各該第一晶片的主動面的接點形成有凸塊；以及

(b3)于各該第一晶片周圍形成有多個金屬柱，并與該第二重布線層電性連接；其中該些金屬柱與該些凸塊齊平。

4.如權利要求3所述的多層模封方法，其特征在于，該步驟(c)的第一封膠體的外露表面與該些金屬柱與該些凸塊齊平。

5.如權利要求4所述的多層模封方法，其特征在于，該步驟(d)的該第一重布線層與該些金屬柱與該些凸塊電性連接。

6.如權利要求5所述的多層模封方法，其特征在于，該步驟(e)的各該第二封裝結構將至少一第二晶片的主動面朝向該第一重布線層上，并電性接合于該第一重布線層。

7.如權利要求4所述的多層模封方法，其特征在于，于該步驟(e)中，于各該第二封裝結構的至少一第二晶片的主動面與該第一重布線層之間的填充一底膠。

8.如權利要求5所述的多層模封方法，其特征在于，于該步驟(f)中該第二封膠體進一步包覆該些底膠。

9.如權利要求3所述的多層模封方法，其特征在于，該步驟(f)的各該外連接件為錫球。

10.如權利要求1所述的多層模封方法，其特征在于：

該步驟(a)的該載板寬度大于等于500mm；

該第二模塑空間寬度大于等于500mm；以及

該第一模塑空間寬度小于500mm。