[發明專利]扇出型堆迭式半導體封裝結構的多層模封方法在審
| 申請號: | 202010158099.3 | 申請日: | 2020-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN113363166A | 公開(公告)日: | 2021-09-07 |
| 發明(設計)人: | 劉圣捷 | 申請(專利權)人: | 力成科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 張燕華 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 扇出型堆迭式 半導體 封裝 結構 多層 方法 | ||
本發明是一種扇出型堆迭式半導體封裝結構的多層模封方法,準備二個不同尺寸的模塑空間,將制程中先完成的第一半導體結構置入尺寸小的第一模塑空間,以完成第一封膠體;再將之后完成的第二半導體結構置入尺寸較大的第二模塑空間,以完成第二封膠體,且該第二封膠體連同第一封膠體一并包覆;是以,本發明的多層模封方法可適用于使用大尺寸載板的扇出型面板級封裝制程,也不必使用昂貴的壓模膠。
技術領域
本發明是關于一種扇出型堆迭式半導體封裝結構的模封方法,尤指一種扇出型堆迭式半導體封裝結構的多層模封方法。
背景技術
請參閱圖2所示,為一種堆迭式半導體封裝結構80,其以晶圓級封裝制程予以封裝,其主要包含有一第一重布線層81、一下晶片82、二上晶片83及一第二重布線層84;其中該下晶片82先黏著于該第二重布線層84,并以模封方式形成一第一封膠體85,該第一封膠體85包覆該下晶片82;再于該封膠體85上形成該第一重布線層81,接著以覆晶接合方式將該二上晶片83接合于該第一重布線層81上,再以一壓模膠貼合并包覆于該二上晶片83,構成一第二封膠體90。
由于壓模膠成本較模封用樹脂來得昂貴,且目前業界尚未有可支持扇出型面板級封裝制程所使用500mm(寬度)載板用的壓模膠;因此,若以扇出型面板級封裝制程形成該堆迭式半導體封裝結構的第二封膠體,會是一項技術瓶頸,有待進一步改良并克服之。
發明內容
有鑒于上述扇出型面板級封裝制程封裝該堆迭式半導體封裝結構時所產生第二封膠體的問題,本發明提出一種扇出型堆迭式半導體封裝結構的多層模封方法,可解決此一問題。
欲達上述目的所使用的主要技術手段是令該扇出型堆迭式半導體封裝結構的多層模封方法包含以下步驟:
(a)提供一扇出型半導體封裝制程用的載板;
(b)于該載板上形成多個第一封裝結構;
(c)將該些第一封裝結構置入一第一模塑空間中,以形成一第一封膠體,該第一封膠體包覆該些第一封裝結構;
(d)于該第一封膠體的一外露表面形成一第一重布線層;
(e)于該第一重布線層上形成多個第二封裝結構;
(f)將該第一封膠體、該第一重布線層及該些第二封裝結構置入一第二模塑空間中,以形成一第二封膠體,該第二封膠體包覆該第一封膠體及該第一重布線層;其中該第二模塑空間大于該第一模塑空間;
(g)移除該載板;以及
(h)進行切單步驟以形成多顆扇出型堆迭式半導體封裝結構。
由上述說明可知,本發明主要準備二個不同尺寸的模塑空間,將制程中先完成的第一半導體結構置入尺寸小的第一模塑空間,以完成第一封膠體;再將之后完成的第二半導體結構置入尺寸較大的第二模塑空間,以完成第二封膠體,該第二封膠體連同第一封膠體一并包覆;是以,本發明的多層模封方法可適用于使用大尺寸載板的扇出型面板級封裝制程,也不必使用昂貴的壓模膠。
以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述,但不作為對本發明的限定。
附圖說明
圖1A至圖1H為本發明扇出型堆迭式半導體封裝結構的多層模封方法中不同步驟的剖面圖。
圖2為既有以晶圓級封裝制程封裝的一堆迭式半導體封裝結構的剖面圖。
其中,附圖標記:
1:扇出型堆迭式半導體封裝結構
10:載板
20:第一封裝結構
21:第二重布線層
211:外連接件
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





