[發(fā)明專利]PECVD射頻饋入電極系統(tǒng)及PECVD裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010157431.4 | 申請日: | 2020-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN111218674A | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 鄧必龍;鄭利勇 | 申請(專利權)人: | 龍鱗(深圳)新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/505 | 分類號: | C23C16/505 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬;潘登 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市坪山區(qū)坪山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | pecvd 射頻 電極 系統(tǒng) 裝置 | ||
本發(fā)明涉及化學氣相沉積技術領域,具體公開了一種PECVD射頻饋入電極系統(tǒng)及PECVD裝置,該PECVD射頻饋入電極系統(tǒng)包括射頻電極片、第一電極、第二電極和兩個通斷控制組件,第一電極與第二電極的沿延伸方向呈夾角設置;通斷控制組件包括靜觸端、動觸端和驅動件,兩個靜觸端均與射頻電極片連接,且兩個動觸端分別與第一電極和第二電極連接,驅動件驅動動觸端在第一位置和第二位置之間切換,可實現(xiàn)動觸端與靜觸端連接或分離,因此通過對兩個通斷控制組件的動觸端與靜觸端進行控制,無需拆裝,即可使射頻電極片與不同延伸方向第一電極或第二電極的單獨連通,可有效提高工作效率。
技術領域
本發(fā)明涉及化學氣相沉積技術領域,尤其涉及一種PECVD射頻饋入電極系統(tǒng)。
背景技術
目前PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等離子體增強化學氣相沉積)射頻饋入電極系統(tǒng)采用的工作電極的延伸方向通常為同一方向,較為常見的是處為水平方向或垂直方向。如若需要使PECVD射頻饋入電極系統(tǒng)的工作電極在不同角度之間切換,需要將當前的工作電極拆卸,并更換為相應的的另一工作電極,步驟比較繁瑣,且生產(chǎn)效率低下。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于:提供一種PECVD射頻饋入電極系統(tǒng)及PECVD裝置,以解決相關技術中的PECVD射頻饋入電極系統(tǒng)的工作電極在不同角度之間切換時拆裝步驟繁瑣,且效率低下的問題。
一方面,本發(fā)明提供一種PECVD射頻饋入電極系統(tǒng),該PECVD射頻饋入電極系統(tǒng)包括射頻電極片、第一電極、第二電極和兩個通斷控制組件,所述第一電極的延伸方向與所述第二電極的延伸方向呈夾角設置;
所述通斷控制組件包括靜觸端、動觸端和驅動件,兩個所述靜觸端均與所述射頻電極片連接,且兩個所述動觸端分別與所述第一電極和所述第二電極連接,或者兩個所述動觸端均能與所述射頻電極片連接,且兩個所述靜觸端分別與所述第一電極和第二電極連接;
所述動觸端具有第一位置和第二位置,所述驅動件與所述動觸端連接,以驅動所述動觸端在所述第一位置和所述第二位置之間切換,當所述動觸端位于所述第一位置時,所述動觸端與所述靜觸端連接,當所述動觸端位于所述第二位置時,所述動觸端與所述靜觸端分離。
作為PECVD射頻饋入電極系統(tǒng)的優(yōu)選技術方案,所述通斷控制組件還包括與所述靜觸端連接的饋入電極,兩個所述饋入電極分別與所述第一電極和所述第二電極連接,兩個所述動觸端均與所述射頻電極片連接。
作為PECVD射頻饋入電極系統(tǒng)的優(yōu)選技術方案,所述PECVD射頻饋入電極系統(tǒng)還包括絕緣材質制成的底座,各個所述饋入電極均固定于所述底座。
作為PECVD射頻饋入電極系統(tǒng)的優(yōu)選技術方案,所述動觸端與所述靜觸端面接觸。
作為PECVD射頻饋入電極系統(tǒng)的優(yōu)選技術方案,所述動觸端和所述靜觸端中的一個包括插片,另一個包括插槽,當所述動觸端位于所述第一位置時,所述插片與所述插槽插接,且所述插片與所述插槽的槽壁貼合。
作為PECVD射頻饋入電極系統(tǒng)的優(yōu)選技術方案,所述插槽由間隔且相對設置的兩個彈性片形成,當所述動觸端位于所述第一位置時,兩個所述彈性片均能夠抵緊所述插片。
作為PECVD射頻饋入電極系統(tǒng)的優(yōu)選技術方案,所述彈性片包括支撐片,以及連接于所述支撐片的弧形片,兩個所述彈性片的所述弧形片之間形成所述插槽,當所述動觸端位于所述第一位置時,兩個所述弧形片均能夠抵緊所述插片。
作為PECVD射頻饋入電極系統(tǒng)的優(yōu)選技術方案,兩個所述動觸端均能與所述射頻電極片連接,且兩個所述靜觸端分別與所述第一電極和第二電極連接,所述通斷控制組件還包括彈性連接件,所述彈性連接件分別與所述動觸端連接和所述射頻電極片連接。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





