[發明專利]像素排列結構及OLED顯示裝置在審
| 申請號: | 202010157033.2 | 申請日: | 2020-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN111180502A | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發明(設計)人: | 劉建欣;韓佰祥 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 張曉薇 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 排列 結構 oled 顯示裝置 | ||
本申請公開了一種像素排列結構,包括陣列排布的多個三行六列的矩陣單元,所述三行六列的矩陣單元包括2個3階矩陣子單元,且每個所述3階矩陣子單元均包括3×3個子像素單元,所述3階矩陣子單元中的每行和每列均設置有第一子像素單元、第二子像素單元以及第三子像素單元;其中,所述像素排列結構在預定的斜線方向D上,排列具有相同顏色的所述子像素單元。本申請還提供一種使用所述像素排列結構的OLED顯示裝置。本申請在實現了高分辨率產品的同時,兼容了OLED打印量產的接線排打印工藝技術。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種像素排列結構及OLED顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Display,OLED)顯示裝置具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬,可實現柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優點,被業界公認為是最有發展潛力的顯示裝置。
隨著顯示技術的發展,人們對于顯示設備的分辨率以及亮度的要求越來越高,但要制作高分辨率的OLED顯示屏就需要更高精度的金屬掩膜板FMM(Fine Metal Mask),因為,通常的條狀子像素(RGB stripe)構成的像素中,在垂直于子像素條方向的方向上一個像素間距內要安排三個子像素,在像素密度高于300ppi(pixels per inch,每英寸的像素數量)時,現階段FMM工藝實現起來非常困難。同時,由于分辨率的提高,子像素發光區域之間的距離要求越來越小,蒸鍍出來的屏幕混色也會越來越嚴重,特別是傳統的條狀排列的紅(R)、綠(G)、藍(B)三個子像素,每個子像素對應的FMM的開口區域的長度較長,直線性控制困難,容易發生混色,傳統的RGB strip像素結構如果直接應用在OLED面板上存在分辨率不能提高,制作難度大的問題。
綜上所述,現有的像素排列結構及OLED顯示裝置,使用條狀子像素(RGB stripe)構成的像素排列結構,難以實現高分辨率產品的制備,且存在制作難度大的技術問題。
發明內容
本申請實施例提供一種像素排列結構及OLED顯示裝置,能夠實現高分辨率產品的制備,以解決現有的像素排列結構及OLED顯示裝置,使用條狀子像素(RGB stripe)構成的像素排列結構,難以實現高分辨率產品的制備,且存在制作難度大的技術問題。
本申請實施例提供一種像素排列結構,包括陣列排布的多個三行六列的矩陣單元,所述三行六列的矩陣單元包括2個3階矩陣子單元,且每個所述3階矩陣子單元均包括3×3個子像素單元,所述3階矩陣子單元中的每行和每列均設置有第一子像素單元、第二子像素單元以及第三子像素單元;
其中,所述像素排列結構在預定的斜線方向D上,排列具有相同顏色的所述子像素單元。
在一些實施例中,所述斜線方向D包括第一子斜線方向D1或者第二子斜線方向D2,所述第一子斜線方向D1與所述3階矩陣子單元的第一對角線平行,所述第二子斜線方向D2與所述3階矩陣子單元的第二對角線平行。
在一些實施例中,每一所述3階矩陣子單元中分別具有3個所述第一子像素單元、3個所述第二子像素單元以及3個第三子像素單元。
在一些實施例中,每一所述3階矩陣子單元中,每行所述子像素單元對應顏色的排列順序不同,每列所述子像素單元對應顏色的排列順序不同。
在一些實施例中,所述像素排列結構經接線排打印工藝制備而成。
在一些實施例中,所述接線排打印工藝中打印針頭的移動方向與承載基板的短邊的夾角成45°。
在一些實施例中,每一所述子像素單元的形狀為矩形,所述矩形的長寬比為2:1。
在一些實施例中,所述第一子像素單元、所述第二子像素單元以及所述第三子像素單元之間的面積比為1:1:1。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





