[發明專利]像素排列結構及OLED顯示裝置在審
| 申請號: | 202010157033.2 | 申請日: | 2020-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN111180502A | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發明(設計)人: | 劉建欣;韓佰祥 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 張曉薇 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 排列 結構 oled 顯示裝置 | ||
1.一種像素排列結構,其特征在于,包括陣列排布的多個三行六列的矩陣單元,所述三行六列的矩陣單元包括2個3階矩陣子單元,且每個所述3階矩陣子單元均包括3×3個子像素單元,所述3階矩陣子單元中的每行和每列均設置有第一子像素單元、第二子像素單元以及第三子像素單元;
其中,所述像素排列結構在預定的斜線方向D上,排列具有相同顏色的所述子像素單元。
2.根據權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,所述斜線方向D包括第一子斜線方向D1或者第二子斜線方向D2,所述第一子斜線方向D1與所述3階矩陣子單元的第一對角線平行,所述第二子斜線方向D2與所述3階矩陣子單元的第二對角線平行。
3.根據權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,每一所述3階矩陣子單元中分別具有3個所述第一子像素單元、3個所述第二子像素單元以及3個第三子像素單元。
4.根據權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,每一所述3階矩陣子單元中,每行所述子像素單元對應顏色的排列順序不同,每列所述子像素單元對應顏色的排列順序不同。
5.根據權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,所述像素排列結構經接線排打印工藝制備而成。
6.根據權利要求5所述的像素排列結構,其特征在于,所述接線排打印工藝中打印針頭的移動方向與承載基板的短邊的夾角成45°。
7.根據權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,每一所述子像素單元的形狀為矩形,所述矩形的長寬比為2:1。
8.根據權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,所述第一子像素單元、所述第二子像素單元以及所述第三子像素單元之間的面積比為1:1:1。
9.根據權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,所述第一子像素單元對應紅色子像素單元(R),所述第二子像素單元對應綠色子像素單元(G),所述第三子像素單元對應藍色子像素單元(B)。
10.一種OLED顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-9任一項所述的像素排列結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





