[發明專利]JFET器件的制備方法和JFET器件

有效

• 申請號: 202010156295.7
• 申請日: 2020-03-09
• 公開（公告）號: CN111403293B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 段文婷;房子荃
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/337
• 分類號: H01L21/337;H01L29/36;H01L29/06;H01L29/808
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 黎偉

本申請公開了一種JFET器件的制備方法和JFET器件，該方法包括：提供一襯底，該襯底為P型襯底，該襯底中形成有深N型阱；在襯底上形成場氧層，深N型阱覆蓋場氧層的底部；在深N型阱中形成至少兩個N型阱，在深N型阱的外周側形成第一P型阱和第二P型阱；在深N型阱中形成PTOP，PTOP將深N型阱隔斷為上部區域和下部區域，PTOP的兩端分別與第一P型阱和第二P型阱接觸，至少兩個N型阱位于上部區域；在深N型阱內N型阱外形成P型重摻雜區，在第一N型阱內形成第一N型重摻雜區，在第二N型阱內形成第二N型重摻雜區。本申請通過在JFET器件的深N型阱中形成N型阱，解決了由于深N型阱的載流子濃度低所導致的JFET器件的導通電流較小的問題。

技術領域

本申請涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種JFET器件的制備方法和JFET器件。

背景技術

結型場效應晶體管(Junction Field-Effect Transistor，JFET)是由PN結的柵極(Gate)、源極(Source)和漏極(Drain)構成的一種具有放大功能的三端有源器件,其工作原理是通過電壓改變溝道的導電性來實現對輸出電流的控制。

BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工藝為在同一芯片(Die)上制作雙極晶體管(BipolarJunction Transistor，BJT)器件、互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal-OxideSemiconductor，CMOS)器件和DMOS器件的工藝。采用BCD工藝制造的器件廣泛應用于電源管理、顯示驅動、汽車電子、工業控制等領域。

參考圖1，其示出了一種基于BCD工藝制備得到的JFET器件的剖面示意圖，如圖1所示，該JFET器件包括P型襯底101，P型襯底101中形成有深N型阱(DeepNegative-type Well，DNW)102，深N型阱中形成有P型阱(Positive-type Well，PW)104，P型104和深N型阱102之間形成有浮置P型結構(PTOP，P型離子注入)1051、1052，P型襯底101上形成有場氧(LocalOxidation of Silicon，LOCOS)層103，場氧層103兩側的P型襯底101中形成有N型重摻雜區1071、1072。

如圖1所示，JFET器件通過設置P型阱-PTOP-深N型阱的結構對P型阱和深N型阱進行夾斷，相關技術中，可將上述結構改進為P型重摻雜區-PTOP-深N型阱，使深N型阱的深度變淺，以獲得更低的夾斷電壓，然而，在改進的結構中，JFET器件的導通電流較小。

發明內容

本申請提供了一種JFET器件的制備方法和JFET器件，可以解決相關技術中提供的JFET器件的導通電流較小的問題。

一方面，本申請實施例提供了一種JFET器件的制備方法，包括：

提供一襯底，所述襯底為P型襯底，所述襯底中形成有深N型阱；

在所述襯底上形成場氧(Local Oxidation of Silicon，LOCOS)層，所述深N型阱覆蓋所述場氧層的底部；

在所述深N型阱中形成至少兩個N型阱，在所述深N型阱的外周側形成第一P型阱和第二P型阱；

在所述深N型阱中形成PTOP，所述PTOP將所述深N型阱隔斷為上部區域和下部區域，所述PTOP的兩端分別與第一P型阱和所述第二P型阱接觸，所述至少兩個N型阱位于所述上部區域；

在所述深N型阱內N型阱外形成P型重摻雜區，在所述第一N型阱內形成第一N型重摻雜區，在所述第二N型阱內形成第二N型重摻雜區。

可選的，所述襯底上形成有至少四個場氧層；

所述襯底上形成有所述在所述襯底上形成場氧層，包括：