[發(fā)明專利]JFET器件的制備方法和JFET器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010156295.7
• 申請日: 2020-03-09
• 公開（公告）號: CN111403293B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 段文婷;房子荃
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/337
• 分類號: H01L21/337;H01L29/36;H01L29/06;H01L29/808
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 黎偉

1.一種JFET器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底為P型襯底，所述襯底中形成有深N型阱；

在所述襯底上形成場氧層，所述深N型阱覆蓋所述場氧層的底部；

在所述深N型阱中形成至少兩個N型阱，在所述深N型阱的外周側(cè)形成第一P型阱和第二P型阱；

在所述深N型阱中形成PTOP，所述PTOP將所述深N型阱隔斷為上部區(qū)域和下部區(qū)域，所述PTOP的兩端分別與第一P型阱和所述第二P型阱接觸，所述至少兩個N型阱位于所述上部區(qū)域；

在所述深N型阱內(nèi)N型阱外形成P型重摻雜區(qū)，在所述第一N型阱內(nèi)形成第一N型重摻雜區(qū)，在所述第二N型阱內(nèi)形成第二N型重摻雜區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述襯底上形成有至少四個場氧層；

所述襯底上形成有所述在所述襯底上形成場氧層，包括：

通過光刻工藝在第一目標(biāo)區(qū)域覆蓋光阻，所述第一目標(biāo)區(qū)域是所述襯底上除所述至少四個場氧層對應(yīng)的區(qū)域以外的其它區(qū)域；

通過場氧工藝在所述襯底上暴露的區(qū)域生長場氧層，形成所述至少四個場氧層；

去除所述光阻。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，沿所述襯底的剖面的長的方向，所述至少四個場氧層包括依次包括第一場氧層、第二場氧層、第三場氧層和第四場氧層，所述至少兩個N型阱依次包括第一N型阱和第二N型阱；

所述第一場氧層和所述第二場氧層形成于所述第一N型阱上，所述第三場氧層和所述第四場氧層形成于所述第二N型阱上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述P型重摻雜區(qū)形成于所述第二場氧層和所述第三場氧層之間，所述第一N型重摻雜區(qū)形成于所述第一場氧層和所述第二場氧層之間，所述第二N型重摻雜區(qū)形成于所述第三場氧層和所述第四場氧層之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的制備方法，其特征在于，所述在所述上部區(qū)域形成P型重摻雜區(qū)，在所述第一N型阱內(nèi)形成第一N型重摻雜區(qū)，在所述第二N型阱內(nèi)形成第二N型重摻雜區(qū)之后，還包括：

在所述P型重摻雜區(qū)、所述第一N型重摻雜區(qū)和所述第二N型重摻雜區(qū)上形成金屬電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成場氧層之前，還包括：

在所述襯底上進行N型離子注入，形成所述深N型阱。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述在所述深N型阱中形成至少兩個N型阱，包括：

通過光刻工藝在第二目標(biāo)區(qū)域覆蓋光阻，所述第二目標(biāo)區(qū)域是所述襯底上除所述至少兩個N型阱對應(yīng)的區(qū)域以外的其它區(qū)域；

對所述襯底上暴露的區(qū)域進行N型離子注入，形成所述至少兩個N型阱；

去除所述光阻。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述在所述深N型阱的外周側(cè)形成第一P型阱和第二P型阱，包括：

通過光刻工藝在第三目標(biāo)區(qū)域覆蓋光阻，所述第三目標(biāo)區(qū)域是所述襯底上除所述第一P型阱和所述第二P型阱對應(yīng)的區(qū)域以外的其它區(qū)域；

對所述襯底上暴露的區(qū)域進行P型離子注入，形成所述第一P型阱和所述第二P型阱；

去除所述光阻。

9.一種JFET器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底為P型襯底，所述襯底中形成有深N型阱，所述深N型阱中形成有至少兩個N型阱和PTOP，所述襯底中深N型阱的外周側(cè)形成有第一P型阱和第二P型阱，所述PTOP將所述深N型阱隔斷為上部區(qū)域和下部區(qū)域，所述PTOP的兩端分別與第一P型阱和所述第二P型阱接觸，所述至少兩個N型阱位于所述上部區(qū)域；

場氧層，所述場氧層形成于所述深N型阱上，所述深N型阱覆蓋所述場氧層的底部；

P型重摻雜區(qū)，所述P型重摻雜區(qū)形成于所述深N型阱內(nèi)且位于所述N型阱外；

第一N型重摻雜區(qū)，所述第一N型重摻雜區(qū)形成于所述第一N型阱內(nèi)；

第二N型重摻雜區(qū)，所述第二N型重摻雜區(qū)形成于所述第二N型阱內(nèi)。