[發(fā)明專利]包括層疊的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010155588.3
• 申請日: 2020-03-09
• 公開（公告）號: CN112397486A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李碩源
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L25/18;H01L23/31;H01L23/48
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

包括層疊的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝。一種半導(dǎo)體封裝包括：基板；第一中介層，其設(shè)置在基板上方；第一芯片層疊物，其在第一中介層的一側(cè)設(shè)置在基板上，其中，第一芯片層疊物包括以在第一方向上偏移的方式層疊的多個(gè)第一半導(dǎo)體芯片；第二芯片層疊物，其設(shè)置在第一芯片層疊物上，其中，第二芯片層疊物包括以在與第一方向相反的第二方向上偏移的方式層疊的多個(gè)第二半導(dǎo)體芯片；以及第三芯片層疊物，其在第一中介層的另一側(cè)設(shè)置在基板上，其中，第三芯片層疊物包括以在第二方向上偏移的方式層疊的多個(gè)第三半導(dǎo)體芯片。

技術(shù)領(lǐng)域

本專利文獻(xiàn)涉及半導(dǎo)體封裝，更具體地，涉及一種包括層疊在基板上方的多個(gè)芯片的半導(dǎo)體封裝。

背景技術(shù)

用于處理大量數(shù)據(jù)的電子裝置正朝著較小體積演進(jìn)。因此，越來越需要增加這些電子裝置的集成度。

由于半導(dǎo)體集成技術(shù)的限制，僅通過單個(gè)半導(dǎo)體芯片很難滿足所需性能目標(biāo)。因此，通常制造具有多個(gè)嵌入式半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝。

盡管半導(dǎo)體封裝包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片，但需要滿足諸如操作的準(zhǔn)確度和速度改進(jìn)、尺寸最小化、工藝簡化以及成本降低的各種要求。

發(fā)明內(nèi)容

各種實(shí)施方式涉及一種以相對低的占地面積(footprint)具有高集成度的半導(dǎo)體封裝。

在實(shí)施方式中，一種半導(dǎo)體封裝可包括：基板；第一中介層，其設(shè)置在基板上方；第一芯片層疊物，其在第一中介層的一側(cè)設(shè)置在基板上，其中，第一芯片層疊物包括以在第一方向上偏移的方式層疊的多個(gè)第一半導(dǎo)體芯片；第二芯片層疊物，其設(shè)置在第一芯片層疊物上，其中，第二芯片層疊物包括以在與第一方向相反的第二方向上偏移的方式層疊的多個(gè)第二半導(dǎo)體芯片；以及第三芯片層疊物，其在第一中介層的另一側(cè)設(shè)置在基板上，其中，第三芯片層疊物包括以在第二方向上偏移的方式層疊的多個(gè)第三半導(dǎo)體芯片。第一中介層可由在第一方向上突出超過第一芯片層疊物的第二芯片層疊物的底表面接觸。第三芯片層疊物的厚度可大于第一芯片層疊物的厚度和第二芯片層疊物的厚度之和。此外，第三芯片層疊物可在第一中介層的至少一部分上方延伸，以使得第一中介層的至少一部分位于第三芯片層疊物下方的空間中。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的橫截面圖。

圖2A和圖2B是更詳細(xì)地示出圖1的第一中介層150的示例的橫截面圖和平面圖。

圖3A、圖3B和圖3C是更詳細(xì)地示出圖1的第二中介層160的示例的圖。

圖4A、圖4B和圖4C是更詳細(xì)地示出圖1的第三中介層170的示例的圖。

圖5示出例示了采用包括根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的存儲卡的電子系統(tǒng)的框圖。

圖6示出例示了包括根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的另一電子系統(tǒng)的框圖。

具體實(shí)施方式

下面參照附圖詳細(xì)描述所公開的技術(shù)的各種示例和實(shí)現(xiàn)方式。

附圖可能未必按比例，在一些情況下，附圖中的至少一些結(jié)構(gòu)的比例可能已被夸大，以便清楚地示出所描述的示例或?qū)崿F(xiàn)方式的特定特征。在以多層結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)具有兩個(gè)或更多個(gè)層的附圖或描述中的特定示例時(shí)，如所示的這些層的相對定位關(guān)系或布置層的順序反映了所描述或示出的示例的特定實(shí)現(xiàn)方式，不同的相對定位關(guān)系或布置層的順序可能是可能的。另外，多層結(jié)構(gòu)的所描述或示出的示例可能沒有反映該特定多層結(jié)構(gòu)中所存在的所有層(例如，兩個(gè)所示層之間可存在一個(gè)或更多個(gè)附加層)。作為特定示例，當(dāng)所描述或示出的多層結(jié)構(gòu)中的第一層被稱為在第二層“上”或“上方”或者基板“上”或“上方”時(shí)，第一層可直接形成在第二層或基板上，但也可表示第一層和第二層或基板之間可存在一個(gè)或更多個(gè)其它中間層的結(jié)構(gòu)。

圖1是示出根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝50的橫截面圖。