[發(fā)明專利]一種NVME硬盤測試治具及測試方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010154807.6 | 申請日： | 2020-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN111462809A | 公開（公告）日： | 2020-07-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孫一心 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/56 | 分類號： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 濟南誠智商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 37105 | 代理人： | 黃曉燕 |
| 地址： | 215100 江蘇省蘇州市吳*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 nvme 硬盤 測試 方法 | ||
1.一種NVME硬盤測試治具，其特征在于，包括現(xiàn)場可編程門陣列、內(nèi)存、硬盤接口、電源插槽和若干個LED；
所述電源插槽，用于插入外接的供電單元PSU，為所述現(xiàn)場可編程門陣列和內(nèi)存供電；
所述內(nèi)存，用于為所述現(xiàn)場可編程門陣列提供運行緩存；
所述現(xiàn)場可編程門陣列，與所述內(nèi)存、硬盤接口以及若干個所述LED連接，用于當(dāng)識別到所述硬盤接口插入的待測NVME硬盤時，結(jié)合所述內(nèi)存執(zhí)行對所述待測NVME硬盤的測試項，并通過若干個所述LED分別顯示對應(yīng)測試項的測試結(jié)果，其中，所述測試項包括帶寬測試項、速率測試項、SMART測試項以及讀寫測試項。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NVME硬盤測試治具，其特征在于，所述電源插槽引出的供電線路上級聯(lián)有四個電源穩(wěn)壓器，分別記為第一電源穩(wěn)壓器、第二電源穩(wěn)壓器、第三電源穩(wěn)壓器和第四電源穩(wěn)壓器；
所述第一電源穩(wěn)壓器設(shè)有兩個輸出端，一個輸出端與所述第二電壓穩(wěn)壓器連接，另一個輸出端輸出5V電壓；
所述第二電源穩(wěn)壓器設(shè)有兩個輸出端，一個輸出端與所述第三電壓穩(wěn)壓器連接，另一個輸出端引出P3V3線路為所述現(xiàn)場可編程門陣列供電；
所述第三電源穩(wěn)壓器設(shè)有兩個輸出端，一個輸出端與所述第四電壓穩(wěn)壓器連接，另一個輸出端引出P1V8線路為所述現(xiàn)場可編程門陣列供電；
所述第四電源穩(wěn)壓器設(shè)有一個輸出端，該輸出端引出P1V線路為所述現(xiàn)場可編程門陣列和內(nèi)存供電。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NVME硬盤測試治具，其特征在于，所述現(xiàn)場可編程門陣列包括：
帶寬測試模塊，用于當(dāng)識別到所述硬盤接口插入的待測NVME硬盤時，控制與待測NVME硬盤進行通信交互，獲取所述待測NVME硬盤的帶寬，并判斷獲取到的所述待測NVME硬盤的帶寬是否正常；
速率測試模塊，用于當(dāng)識別到所述硬盤接口插入的待測NVME硬盤時，控制與待測NVME硬盤進行通信交互，獲取所述待測NVME硬盤的速率，并判斷獲取到的所述待測NVME硬盤的速率是否正常；
SMART日志測試模塊，用于所述待測NVME硬盤的速率和帶寬測試完成后，控制與待測NVME硬盤進行通信交互，讀取所述待測NVME硬盤的SMART日志，并判斷所述待測NVME硬盤的SMART日志的raw data是否正常；
讀寫功能測試模塊，用于讀取所述待測NVME硬盤的SMART日志后，控制與待測NVME硬盤進行通信交互，校驗判斷所述待測NVME硬盤的讀寫功能是否正常；
第一LED點亮控制模塊，用于當(dāng)判定所述待測NVME硬盤的帶寬、速率、SMART日志以及讀寫功能均正常時，則控制點亮測試通過所對應(yīng)的LED；
第二LED點亮控制模塊，用于當(dāng)判定待測NVME硬盤的帶寬、速率、SMART日志以及讀寫功能中有測試不通過的測試項時，則控制點亮對應(yīng)的LED。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的NVME硬盤測試治具，其特征在于，所述現(xiàn)場可編程門陣列還包括：
待測NVME硬盤在位狀態(tài)識別模塊，用于對所述硬盤接口的硬盤插入狀態(tài)進行識別判斷；
狀態(tài)確定模塊，用于與所述待測NVME硬盤進行底層握手交互，確定所述待測NVME硬盤的帶寬和速率。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的NVME硬盤測試治具，其特征在于，所述讀寫功能測試模塊具體包括：
寫模塊，用于控制向所述待測NVME硬盤發(fā)送1K Memory Write命令，交替將8’b01010101和8’b10101010的byte寫入NVME硬盤中，其中，當(dāng)接收到所述待測NVME硬盤反饋的ACK_DLLP時，表示所述待測NVME硬盤已接收到數(shù)據(jù)和命令；
讀模塊，用于控制向所述待測NVME硬盤發(fā)送1K Memory Read Request命令，將寫入的byte讀取出來，其中，當(dāng)接收到所述待測NVME硬盤反饋的ACK_DLLP時，表示命令已經(jīng)被接收；
校驗判斷模塊，用于對從所述待測NVME硬盤讀取的數(shù)據(jù)進行讀寫功能的校驗判斷。
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