[發明專利]戶外照明光源光效提高方法有效
| 申請號: | 202010154489.3 | 申請日: | 2020-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN111326614B | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發明(設計)人: | 孫蕾蕾 | 申請(專利權)人: | 孫蕾蕾 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L33/06 |
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| 地址: | 230093 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 戶外 照明 光源 提高 方法 | ||
本發明提供了一種戶外照明光源光效提高方法,包括依次在基板上形成半結晶性層、未摻雜層、N型摻雜層、有源層、P型摻雜層;所述有源層包括周期性重疊的量子阱層和量子壘層,量子阱層為銦鎵氮層,量子壘層為氮化鎵層,形成至少其中之一量子阱層后通入銦源,通入銦源后通入碳源,通入碳源后形成量子壘層。本發明通過在形成量子阱層后通入銦源,在銦鎵氮表面形成銦處理層,銦處理層上通入碳源,高溫下碳源分解并與銦處理層接觸形成碳二維結構,銦處理層與碳二維結構結合一方面進一步增加量子阱層勢阱深度,同時提高載流子濃度和遷移率,進而改善內量子效率,提高光源光效。
技術領域
本發明涉及汽車照明技術領域,具體涉及一種戶外照明光源光效提高方法。
背景技術
構建智慧城市,推動綠色照明,可實現城市可持續發展。近年來,在政府的推動下,LED戶外照明行業獲得更大的發展空間,尤其是在道路照明和景觀照明領域。LED戶外照明經過多年的探索發展,在應用過程中的技術不斷革新突破,水平不斷進步,已經完成了質的積累,價格有所下降,市場持續穩定增長。
由于LED戶外照明市場潛力巨大,國內外大小廠商紛紛爭相進入,同質化產品層出不窮,導致產品質量參差不齊,性能不穩定,成為目前LED產業格局的困惑點。考慮到戶外產品特殊使用條件,戶外LED專業燈具必須更注重光效提升與產品質量。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于提供一種戶外照明光源光效提高方法,能夠有效提高戶外照明光源光效及性能。
本發明所要解決的技術問題采用以下技術方案來實現:
一種戶外照明光源光效提高方法,包括提供一基板,位于所述基板上形成半結晶性層,位于所述半結晶性層上形成未摻雜層,位于所述未摻雜層上形成N型摻雜層,位于所述N型摻雜層上形成有源層,位于所述有源層上形成P型摻雜層;所述有源層包括周期性重疊的量子阱層和量子壘層,量子阱層為銦鎵氮層,量子壘層為氮化鎵層,形成至少其中之一量子阱層后通入銦源,通入銦源后通入碳源,通入碳源后形成量子壘層。
可選的,形成量子阱層后在通入銦源前形成氮化鋁層。
可選的,形成的氮化鋁層位于N型摻雜層一側。
可選的,形成的氮化鋁層位于與N型摻雜層距離最近的量子阱層上。
可選的,所述有源層中形成每一個量子阱層后均通入銦源,通入銦源后通入碳源,通入碳源后形成量子壘層。
可選的,所述有源層中從N型摻雜層一側至P型摻雜層一側在形成每一個量子阱層后通入的銦源流量逐漸增加。
可選的,所述有源層中從N型摻雜層一側至P型摻雜層一側在形成每一個量子阱層后通入的碳源流量逐漸減小。
可選的,通入碳源后還包括通入硅源。
可選的,通入硅源的時間持續至量子壘層生長結束。
可選的,所述硅源流量逐漸減小。
本發明的有益效果是:本發明通過在形成量子阱層后通入銦源,在銦鎵氮表面形成銦處理層,銦處理層上通入碳源,高溫下碳源分解并與銦處理層接觸形成碳二維結構,銦處理層與碳二維結構結合一方面進一步增加量子阱層勢阱深度,同時提高載流子濃度和遷移率,進而改善內量子效率,提高光源光效。
附圖說明
圖1為根據本發明得到的產品結構示意圖;
圖2至圖4為根據本發明優選實施例得到的產品結構示意圖。
具體實施方式
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