[發(fā)明專(zhuān)利]戶(hù)外照明光源光效提高方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010154489.3 | 申請(qǐng)日： | 2020-03-07 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111326614B | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-07-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫蕾蕾 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 孫蕾蕾 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/00 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 230093 安徽*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 戶(hù)外 照明 光源 提高 方法 | ||
1.一種戶(hù)外照明光源光效提高方法，其特征在于，包括提供一基板，位于所述基板上形成半結(jié)晶性層，位于所述半結(jié)晶性層上形成未摻雜層，位于所述未摻雜層上形成N型摻雜層，位于所述N型摻雜層上形成有源層，位于所述有源層上形成P型摻雜層；所述有源層包括周期性重疊的量子阱層和量子壘層，量子阱層為銦鎵氮層，量子壘層為氮化鎵層，形成至少其中之一量子阱層后通入銦源，通入銦源后通入碳源，通入碳源后形成量子壘層。
2.如權(quán)利要求1所述的戶(hù)外照明光源光效提高方法，其特征在于，形成量子阱層后在通入銦源前形成氮化鋁層。
3.如權(quán)利要求2所述的戶(hù)外照明光源光效提高方法，其特征在于，形成的氮化鋁層位于N型摻雜層一側(cè)。
4.如權(quán)利要求3所述的戶(hù)外照明光源光效提高方法，其特征在于，形成的氮化鋁層位于與N型摻雜層距離最近的量子阱層上。
5.如權(quán)利要求1所述的戶(hù)外照明光源光效提高方法，其特征在于，所述有源層中形成每一個(gè)量子阱層后均通入銦源，通入銦源后通入碳源，通入碳源后形成量子壘層。
6.如權(quán)利要求5所述的戶(hù)外照明光源光效提高方法，其特征在于，所述有源層中從N型摻雜層一側(cè)至P型摻雜層一側(cè)在形成每一個(gè)量子阱層后通入的銦源流量逐漸增加。
7.如權(quán)利要求6所述的戶(hù)外照明光源光效提高方法，其特征在于，所述有源層中從N型摻雜層一側(cè)至P型摻雜層一側(cè)在形成每一個(gè)量子阱層后通入的碳源流量逐漸減小。
8.如權(quán)利要求1至7任一所述的戶(hù)外照明光源光效提高方法，其特征在于，通入碳源后還包括通入硅源。
9.如權(quán)利要求8所述的戶(hù)外照明光源光效提高方法，其特征在于，通入硅源的時(shí)間持續(xù)至量子壘層生長(zhǎng)結(jié)束。
10.如權(quán)利要求9所述的戶(hù)外照明光源光效提高方法，其特征在于，所述硅源流量逐漸減小。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
