[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010153647.3
• 申請日: 2020-03-06
• 公開（公告）號: CN111668208A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 安坂信;巖橋勇武;巖田光太郎
• 申請（專利權(quán)）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 曾賢偉;范勝杰

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：

外部端子；

輸出元件；

檢測元件，其對所述外部端子中負電壓的產(chǎn)生進行檢測；以及

截止電路，其在所述檢測元件檢測出所述負電壓的產(chǎn)生時強制性使所述輸出元件截止。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述檢測元件是柵極與基準電位端連接而源極與所述外部端子連接的N溝道型晶體管，或者，是基極與所述基準電位端連接而發(fā)射極與所述外部端子連接的npn型晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述截止電路包含：開關(guān)元件，其在所述檢測元件檢測出所述負電壓的產(chǎn)生時使所述輸出元件的柵極-源極間短路。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述開關(guān)元件是源極與所述輸出元件的源極連接而漏極與所述輸出元件的柵極連接的P溝道型晶體管。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述截止電路還包含在所述開關(guān)元件的柵極-源極間連接的電阻。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述開關(guān)元件的柵極與所述檢測元件的漏極或者集電極連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體裝置還具有：異常保護電路，其不僅在異常保護電路自己檢測出監(jiān)視對象的異常時，還在所述檢測元件檢測出所述負電壓的產(chǎn)生時，經(jīng)由所述截止電路強制性使所述輸出元件截止。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述異常保護電路是過電流保護電路、過熱保護電路、或者過電壓保護電路。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體裝置還具有：靜電保護元件，其連接在所述外部端子與基準電位端之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體裝置還具有：輸出驅(qū)動部，其對連接在輸入電壓的輸入端與所述外部端子之間的所述輸出元件進行驅(qū)動，以使所述外部端子展現(xiàn)的輸出電壓或者與之對應(yīng)的反饋電壓與規(guī)定的參考電壓一致。

11.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：

外部端子；

輸出元件；

第1半導(dǎo)體區(qū)域，其與所述外部端子連接；

第2半導(dǎo)體區(qū)域，其形成內(nèi)部電路；

第3半導(dǎo)體區(qū)域，其形成為比所述第2半導(dǎo)體區(qū)域靠近所述第1半導(dǎo)體區(qū)域；以及

截止電路，其在伴隨在所述第1半導(dǎo)體區(qū)域與所述第3半導(dǎo)體區(qū)域之間的寄生元件導(dǎo)通時強制性使所述輸出元件截止。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述寄生元件是以P型的半導(dǎo)體基板為基極，以N型的所述第1半導(dǎo)體區(qū)域為發(fā)射極，以N型的所述第3半導(dǎo)體區(qū)域為集電極的npn型晶體管。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述截止電路包含：開關(guān)元件，其在所述寄生元件導(dǎo)通時使所述輸出元件的柵極-源極間短路。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述開關(guān)元件是源極與所述輸出元件的源極連接而漏極與所述輸出元件的柵極連接的P溝道型晶體管。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述截止電路還包含：電阻，其連接在所述開關(guān)元件的柵極-源極間。