[發明專利]一種激光剝離的巨量轉移系統及方法在審
| 申請號: | 202010153551.7 | 申請日: | 2020-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN111540705A | 公開(公告)日: | 2020-08-14 |
| 發明(設計)人: | 張朋月;徐瑞林;黃嘉樺 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/683;H01L33/62 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 劉文求;王永文 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 激光 剝離 巨量 轉移 系統 方法 | ||
本發明公開了一種激光剝離的巨量轉移系統及方法,其系統包括轉移裝置和接收裝置;所述轉移裝置上設置有等待轉移的LED芯片,所述LED芯片沿第一方向和第二方向形成LED芯片矩陣;所述接收裝置包括目標基板;在所述目標基板上設置有光刻膠層,并在光刻膠層的對應LED芯片裝配位置預先設置對應的凹槽,所述凹槽與所述LED芯片對應匹配,并在底部露出鍵合電極設置。本發明激光剝離的巨量轉移系統及方法由于采用了在接收裝置上設置的具有對應凹槽的光刻膠層,從而對落下的LED芯片進行卡位,因此可以大大提升LED芯片在安裝過程中的對位準確性,能夠實現微操作的精準性。
技術領域
本發明涉及一種LED裝配技術領域,尤其涉及的是一種針對Micro-LED的巨量轉移系統及方法改進。
背景技術
現有技術中,Micro-LED技術是最新發展的電視機及顯示技術,Micro-LED作為新一代顯示技術,比現有的OLED技術亮度更高、發光效率更好、但功耗更低。2017年5月,蘋果已經開始新一代顯示技術的開發。2018年2月,三星在CES 2018上推出了Micro LED電視。
Micro-LED顯示器,具有良好的穩定性,壽命,以及運行溫度上的優勢,同時也承繼了LED低功耗、色彩飽和度、反應速度快、對比度強等優點,具有極大的應用前景。
如圖1所示是Micro-LED顯示背板上包括了若干像素區域SPR(Sub-PixelRendering),每個像素區域SPR包括紅色LED(R)、藍色LED(B)、綠色LED(G)芯片100。在顯示器的制作過程中,需要將紅綠藍三色LED芯片100從各自的生長基板101(WAFER)轉移到顯示器的顯示背板102上。在某些技術情況下,還可能有白色(W)的LED芯片需要轉移和裝配。
如美國專利US8361268B2中所公開的,如圖2A-圖2D所示,在第一基板1和第二基板7相距預定距離d時(此預定距離根據實際的技術需要,通常設置的很小),激光Lh選擇性照射在第一基板1上的微器件(Micro-LED)區域,則可以通過激光照射后使剝離層3分解,從而剝離對應的剝離層3,使得對應的微器件(Micro-LED)5落入第二基板(目標基板)7,在第二基板7上設置有粘合劑層9,粘住對應的所述微器件5,從而完成Micro-LED的轉移過程。
然而,如圖3所示的,現有技術在進行轉移過程中,在微器件(Micro-LED)落入目標基板102(也即圖2A-圖2D中的第二基板7和圖1中的顯示背板102)的過程中,可能出現微器件(Micro-LED)的位置偏移的問題,即微器件(Micro-LED)無法對準第二基板(目標基板)上的對應位置。如圖3所示的,第一列從左到右示意了常見的幾種偏移情況,圖中LED1、LED2、LED3、LED4、LED5都有不同情況的偏移,其中虛線所示為LED應該轉移的位置,實線所示為LED實際轉移的位置,從轉動到上下左右的偏移,會形成電路板上的故障和產品良率下降。同時由于微器件Micro-LED的尺寸微小,很難做到批量解決轉移過程中的精準定位。
因此,現有技術還有待于改進和發展。
發明內容
本發明的目的在于提供一種激光剝離的巨量轉移系統及方法,針對現有技術的微器件Micro-LED的批量加工過程中,在轉移過程的位置偏移問題,實現一種定位更精準度的轉移系統和方法。
本發明的技術方案如下:
一種激光剝離的巨量轉移系統,其中,包括轉移裝置和接收裝置;
所述轉移裝置上設置有等待轉移的LED芯片,所述LED芯片沿第一方向和第二方向形成LED芯片矩陣;
所述接收裝置包括目標基板;
在所述目標基板上設置有光刻膠層,并在光刻膠層的對應LED芯片裝配位置預先設置對應的凹槽,所述凹槽與所述LED芯片對應匹配,并在底部露出鍵合電極設置。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





