[發明專利]一種激光剝離的巨量轉移系統及方法

在審

• 申請號: 202010153551.7
• 申請日: 2020-03-06
• 公開（公告）號: CN111540705A
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 張朋月;徐瑞林;黃嘉樺
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/683;H01L33/62
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 劉文求;王永文

1.一種激光剝離的巨量轉移系統，其特征在于，包括轉移裝置和接收裝置；

所述轉移裝置上設置有等待轉移的LED芯片，所述LED芯片沿第一方向和第二方向形成LED芯片矩陣；

所述接收裝置包括目標基板；

在所述目標基板上設置有光刻膠層，并在光刻膠層的對應LED芯片裝配位置預先設置對應的凹槽，所述凹槽與所述LED芯片對應匹配，并在底部露出鍵合電極設置。

2.根據權利要求1所述的激光剝離的巨量轉移系統，其特征在于，所述轉移裝置包括：透明載體以及在所述透明載體朝向所述接收裝置的一側表面對應位置設置等待轉移的LED芯片；所述LED芯片通過剝離層與所述透明載體連接。

3.根據權利要求2所述的激光剝離的巨量轉移系統，其特征在于，所述透明載體朝向所述接收裝置的一側表面，對應所述LED芯片及剝離層的位置設置有凸臺。

4.根據權利要求2或3所述的激光剝離的巨量轉移系統，其特征在于，在所述透明載體背離所述接收裝置的一側設置有一功能層，所述功能層包括在所述第一方向上間隔設置遮光粒子區域和透明區域；

所述LED芯片在所述功能層上的正投影位置屬于所述透明區域，所述遮光粒子區域設置在相鄰兩列透明區域之間，并在所述遮光粒子區域靠近所述透明區域的兩側設置有第一電極和第二電極，用于通電控制所述遮蔽區域中所述遮光粒子的運動。

5.根據權利要求4所述的激光剝離的巨量轉移系統，其特征在于，所述遮光粒子在通電控制下可分布在整個遮光粒子區域或集中于所述遮光粒子區域的中線部分。

6.根據權利要求5所述的激光剝離的巨量轉移系統，其特征在于，所述剝離層采用聚酰亞胺實現。

7.根據權利要求6所述的激光剝離的巨量轉移系統，其特征在于，所述遮光粒子材料包括以下材料中的一種或多種的組合：Cu2+銅離子、Fe2+亞鐵離子、Ni2+鎳離子、Cr3+鉻離子、Au3+金離子。

8.一種實現如權利要求4或5所述系統的激光剝離的巨量轉移方法，其包括以下步驟：

A、將轉移裝置上的LED芯片位置與接收裝置上的凹槽對準；

B、通過第一電極和第二電極的通電，控制所述遮光粒子區域整個區域遮光；

C、用激光通過所述遮光粒子區域之間的窗口照射剝離層，使LED芯片脫離轉移裝置，并落入所述凹槽。

9.根據權利要求8所述的激光剝離的巨量轉移方法，其特征在于，在所述步驟C之后還包括以下步驟：

D、通過第一電極和第二電機的再通電，控制所述遮光粒子集中到遮光粒子區域中心，以擴大激光透射區域；

E、用激光通過所述透明載體，照射溶解所述光刻膠層。