[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010152720.5
• 申請(qǐng)日: 2020-03-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113363152A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/3205
• 分類號(hào): H01L21/3205;C25D5/10;C25D5/18;C25D5/50
• 代理公司: 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

進(jìn)行第一電鍍工藝，在所述基底上形成第一電鍍層；

進(jìn)行第二電鍍工藝，在所述第一電鍍層表面形成第二電鍍層，所述第二電鍍工藝的電流密度大于所述第一電鍍工藝的電流密度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述在所述基底上形成第一電鍍層，包括：將所述基底浸入電鍍液中，且在所述基底完全浸入所述電鍍液內(nèi)之前，進(jìn)行所述第一電鍍工藝；所述在所述第一電鍍層表面形成第二電鍍層，包括：在所述基底完全浸入所述電鍍液之后，進(jìn)行所述第二電鍍工藝。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第二電鍍工藝的電流密度為141.54A/m²～212.31A/m²。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一電鍍工藝的電流密度為70.77A/m²～141.54A/m²。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在形成所述第二電鍍層之后，對(duì)所述第一電鍍層和所述第二電鍍層進(jìn)行退火處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述退火處理的退火溫度為70℃～130℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在將所述基底浸入電鍍液中以進(jìn)行所述第一電鍍工藝之前，向所述基底施加電壓。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述向所述基底施加電壓，包括：向所述基底施加0～30V的電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述基底內(nèi)具有凹槽，所述第一電鍍層覆蓋所述凹槽表面，所述第二電鍍層填充滿所述凹槽，且所述第二電鍍層的頂面高于所述基底的頂面；在形成所述第二電鍍層之后，進(jìn)行平坦化工藝，去除高于所述基底頂面的所述第二電鍍層。

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

基底及位于所述基底上的第一電鍍層，所述第一電鍍層采用第一電鍍工藝形成；

第二電鍍層，所述第二電鍍層位于所述第一電鍍層表面，所述第二電鍍層采用第二電鍍工藝形成，且所述第二電鍍工藝的電流密度大于所述第一電鍍工藝的電流密度。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底內(nèi)具有凹槽，所述第一電鍍層覆蓋所述凹槽表面，所述第二電鍍層填充滿所述凹槽，且所述第二電鍍層頂面與所述基底頂面平齊。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：阻擋層和電鍍種子層，所述阻擋層位于所述凹槽底部和側(cè)壁，所述電鍍種子層位于所述阻擋層表面，所述第一電鍍層位于所述電鍍種子層表面。