[發明專利]發光二極管結構

在審

• 申請號: 202010151258.7
• 申請日: 2020-03-06
• 公開（公告）號: CN113363367A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 陳書偉;倪慶懷;黃國維;郭家彰
• 申請（專利權）人: 隆達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/56;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/02
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種發光二極管結構包括基板、框體、發光二極管芯片以及透光層。框體位于基板上且與基板共同構成一凹部，框體具有20％至40％的光反射率。發光二極管芯片位于凹部內的基板上。透光層填入凹部內以覆蓋發光二極管芯片，其中發光二極管芯片的側面發光強度大于其頂面發光強度。本案的能發光二極管結構能進一步擴大發光角度。

技術領域

本發明是關于一種發光二極管結構。

背景技術

發光二極管(Light Emitting Diode,LED)是半導體材料制成的發光元件，可將電能轉換成光，其具有體積小、能量轉換效率高、壽命長、省電等優點，因此廣泛應用于各式電子裝置的光源。

當多個發光二極管用作顯示器的背光源時，如何使背光模塊減少亮暗不均的現象是各供應商亟欲解決的問題。

發明內容

本發明提出一種創新的發光二極管結構，解決先前技術的問題。

于本發明的一實施例中，一種發光二極管結構包括基板、框體、發光二極管芯片以及透光層。框體位于基板上且與基板共同構成一凹部，框體具有20％至40％的光反射率。發光二極管芯片位于凹部內的基板上。透光層填入凹部內以覆蓋發光二極管芯片，其中發光二極管芯片的側面發光強度大于其頂面發光強度。

于本發明的一實施例中，框體具有介于1.41至1.6間的折射率。

于本發明的一實施例中，框體包含10％至50％的長形纖維。

于本發明的一實施例中，框體包含聚對苯二甲酸環乙酯、芳香環接合高級脂肪鎖聚合半芳香族尼龍樹脂、聚鄰苯二甲酰胺至少其中一種。

于本發明的一實施例中，透光層的頂面低于或高于該框體的頂端所形成的延伸線。

于本發明的一實施例中，透光層包含硅質材料。

于本發明的一實施例中，硅質材料包含苯基硅樹脂以及甲基硅樹脂至少其中一種。

于本發明的一實施例中，發光二極管芯片的底面連接于該基板，該發光二極管芯片的底面為一光反射面。

于本發明的一實施例中，發光二極管芯片的側面發光強度與其頂面發光強度差異介于10％至60％。

于本發明的一實施例中，發光二極管芯片是覆晶連接于或以導線連接于基板。

綜上所述，本發明的的發光二極管結構藉其低反射率的凹杯框體以及側面發光大于頂面發光的發光二極管芯片，能進一步擴大發光角度，使得發光二極管結構作為顯示器的背光源時，能有效改善背光模塊亮暗不均的現象。

以下將以實施方式對上述的說明作詳細的描述，并對本發明的技術方案提供更進一步的解釋。

附圖說明

為讓本發明的上述和其他目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的說明如下：

圖1是繪示依照本發明一實施例的一種發光二極管結構的剖面圖；

圖2是繪示依照本發明一實施例的發光二極管芯片的示意圖；

圖3是繪示依照本發明另一實施例的一種發光二極管結構的剖面圖；

圖4是繪示依照本發明一實施例的一種發光二極管結構發光角度與照度的關系圖；

圖5是繪示依照本發明另一實施例的一種發光二極管結構發光角度與照度的關系圖；以及

圖6是繪示依照本發明另一實施例的一種發光二極管結構發光角度與照度的關系圖。

為讓本發明的上述和其他目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂，所附符號的說明如下：

100a:發光二極管結構