[發明專利]發光二極管結構

在審

• 申請號: 202010151258.7
• 申請日: 2020-03-06
• 公開（公告）號: CN113363367A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 陳書偉;倪慶懷;黃國維;郭家彰
• 申請（專利權）人: 隆達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/56;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/02
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種發光二極管結構，其特征在于，包括：

一基板；

一框體，位于該基板上且與該基板共同構成一凹部，該框體具有20％至40％的光反射率；

一發光二極管芯片，位于該凹部內的該基板上；以及

一透光層，填入該凹部內以覆蓋該發光二極管芯片，其中該發光二極管芯片的側面發光強度大于其頂面發光強度。

2.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，該框體具有介于1.41至1.6間的折射率。

3.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，該框體包含10％至50％的長形纖維。

4.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，該框體包含聚對苯二甲酸環乙酯、芳香環接合高級脂肪鎖聚合半芳香族尼龍樹脂、聚鄰苯二甲酰胺至少其中一種。

5.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，該透光層的頂面低于或高于該框體的頂端所形成的延伸線。

6.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，該透光層包含硅質材料。

7.根據權利要求6所述的發光二極管結構，其特征在于，該硅質材料包含苯基硅樹脂以及甲基硅樹脂至少其中一種。

8.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，該發光二極管芯片的底面連接于該基板，該發光二極管芯片的底面為一光反射面。

9.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，該發光二極管芯片的側面發光強度與其頂面發光強度差異介于10％至60％。

10.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，該發光二極管芯片是覆晶連接于或以導線連接于該基板。