[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010150728.8
• 申請(qǐng)日: 2020-03-06
• 公開（公告）號(hào): CN112447756A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 志摩祐介
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/1157
• 分類號(hào): H01L27/1157;H01L27/11563
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 張世俊

實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法。實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備：襯底；多個(gè)導(dǎo)電層，配設(shè)在與襯底的表面交叉的第1方向，且在與第1方向交叉的第2方向延伸；多個(gè)絕緣層，分別設(shè)置在多個(gè)導(dǎo)電層之間；半導(dǎo)體層，在第1方向延伸，與多個(gè)導(dǎo)電層及多個(gè)絕緣層對(duì)向；及柵極絕緣層，設(shè)置在多個(gè)導(dǎo)電層與半導(dǎo)體層之間；且具有形成多個(gè)導(dǎo)電層、多個(gè)絕緣層、半導(dǎo)體層及柵極絕緣層的第1區(qū)域、以及與該第1區(qū)域不同的第2區(qū)域，多個(gè)導(dǎo)電層包含多個(gè)第1導(dǎo)電層及多個(gè)第2導(dǎo)電層，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在第2區(qū)域的與多個(gè)第1導(dǎo)電層相同的層具備與第1導(dǎo)電層不同的多個(gè)第1膜，在第2區(qū)域的與多個(gè)第2導(dǎo)電層相同的層具備與第2導(dǎo)電層及第1膜不同的多個(gè)第2膜。

相關(guān)申請(qǐng)案

本申請(qǐng)案享受以日本專利申請(qǐng)案2019-155604號(hào)(申請(qǐng)案：2019年8月28日)作為基礎(chǔ)申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)案通過參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)案包含基礎(chǔ)申請(qǐng)案的所有內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

已知有一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，具備：襯底；多個(gè)導(dǎo)電層，配設(shè)在與襯底的表面交叉的第1方向，且在與第1方向交叉的第2方向延伸；多個(gè)絕緣層，分別設(shè)置在多個(gè)導(dǎo)電層之間；半導(dǎo)體層，在第1方向延伸，與多個(gè)導(dǎo)電層及多個(gè)絕緣層對(duì)向；及柵極絕緣層，設(shè)置在多個(gè)導(dǎo)電層與半導(dǎo)體層之間。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方式提供一種能夠改善制造良率的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法。

一實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備：襯底；多個(gè)導(dǎo)電層，配設(shè)在與襯底的表面交叉的第1方向，且在與第1方向交叉的第2方向延伸；多個(gè)絕緣層，分別設(shè)置在多個(gè)導(dǎo)電層之間；半導(dǎo)體層，在第1方向延伸，與多個(gè)導(dǎo)電層及多個(gè)絕緣層對(duì)向；及柵極絕緣層，設(shè)置在多個(gè)導(dǎo)電層與半導(dǎo)體層之間；且具有形成多個(gè)導(dǎo)電層、多個(gè)絕緣層、半導(dǎo)體層及柵極絕緣層的襯底上的第1區(qū)域、以及襯底上的與第1區(qū)域不同的第2區(qū)域，多個(gè)導(dǎo)電層包含多個(gè)第1導(dǎo)電層及多個(gè)第2導(dǎo)電層，且所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在第2區(qū)域的與多個(gè)第1導(dǎo)電層相同的層具備與第1導(dǎo)電層不同的多個(gè)第1膜，在第2區(qū)域的與多個(gè)第2導(dǎo)電層相同的層具備與第2導(dǎo)電層及第1膜不同的多個(gè)第2膜。

附圖說明

圖1是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的示意性構(gòu)成的等效電路圖。

圖2是該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的示意性立體圖。

圖3是圖2的A所示的部分的示意性放大圖。

圖4是該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的示意性俯視圖。

圖5是圖4的A所示的部分的示意性放大圖。

圖6是以A-A'線切斷圖5的構(gòu)造所得的示意性剖視圖。

圖7是以B-B'線切斷圖5的構(gòu)造所得的示意性剖視圖。

圖8是表示該導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的示意性剖視圖。

圖9是表示該導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的示意性剖視圖。

圖10是表示該導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的示意性剖視圖。

圖11是表示該導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的示意性剖視圖。

圖12是表示該導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的示意性剖視圖。

圖13是表示該導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的示意性剖視圖。

圖14是表示該導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的示意性剖視圖。

圖15是表示該導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的示意性剖視圖。

圖16是表示該導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的示意性剖視圖。