[發明專利]垂直存儲器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202010150059.4
• 申請日: 2020-03-06
• 公開（公告）號: CN111952315A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 辛京準;羅炫錫;鄭潤圭;李熙重;洪昇完
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

示例實施例公開了一種垂直存儲器件及其制造方法。所述器件可以包括多個柵電極和多個絕緣圖案以及穿透第一柵電極和第一絕緣圖案的溝道。所述器件可以具有包括從溝道的外側壁順序堆疊的隧道絕緣圖案、電荷俘獲圖案和阻擋圖案的電荷存儲結構。所述器件可以具有被所述隧道絕緣圖案和所述電荷俘獲圖案圍繞的掩埋圖案結構。所述電荷俘獲圖案可以包括在水平方向上具有第一厚度的第一垂直部分和在所述水平方向上具有第二厚度的第二垂直部分，并且所述第一厚度可以小于或等于所述第二厚度。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年5月17日在韓國知識產權局(KIPO)提交的韓國專利申請No.10-2019-0058112的優先權，通過引用將該申請的全部內容合并于此。

技術領域

本發明構思涉及垂直存儲器件。更具體地，本發明構思涉及具有垂直溝道的非易失性存儲器件。

背景技術

隨著垂直存儲器件中垂直堆疊的層數增加，為了縮小垂直存儲器件，減小每層的厚度是至關重要的。然而，隨著每層的厚度減小，在彼此垂直相鄰的單元之間可能發生耦合，因此垂直存儲器件的電特性可能劣化。

發明內容

示例實施例提供了一種具有改善的電特性的垂直存儲器件。

示例實施例提供了一種制造具有改善的電特性的垂直存儲器件的方法。

根據示例實施例，提供了一種垂直存儲器件。所述垂直存儲器件可以包括彼此間隔開并且在基本上垂直于襯底的上表面的垂直方向上順序堆疊的多個柵電極。所述多個柵電極可以包括第一柵電極和第二柵電極。所述垂直存儲器件可以包括多個絕緣圖案，所述多個絕緣圖案包括位于所述第一柵電極與所述第二柵電極之間的高度處的第一絕緣圖案以及在所述襯底上沿所述垂直方向延伸的溝道。所述溝道可以至少穿透所述第一柵電極和所述第一絕緣圖案。所述垂直存儲器件可以包括在所述垂直方向上延伸并覆蓋所述溝道的外側壁的電荷存儲結構。所述電荷存儲結構可以包括沿基本上平行于所述襯底的所述上表面的水平方向從所述溝道的所述外側壁順序堆疊的隧道絕緣圖案、電荷俘獲圖案和阻擋圖案。所述垂直存儲器件可以具有包括第一掩埋圖案結構的多個掩埋圖案結構，其中每個掩埋圖案結構在所述溝道與相應的絕緣圖案之間被所述隧道絕緣圖案和所述電荷俘獲圖案圍繞。每個掩埋圖案結構可以包括與所述隧道絕緣圖案接觸的內側壁和與所述電荷俘獲圖案接觸的外側壁。所述電荷俘獲圖案的第一部分的最大厚度小于或等于所述電荷俘獲圖案的第二部分的最大厚度，所述第一部分具有相對于所述襯底的所述上表面的垂直的側壁并且在所述水平方向上位于所述溝道與所述第一柵電極之間，所述第二部分具有相對于所述襯底的所述上表面的垂直的側壁并且在所述水平方向上位于所述溝道與所述第一絕緣圖案之間。

根據示例實施例，提供了一種垂直存儲器件。所述垂直存儲器件可以包括位于襯底上的支撐圖案和溝道連接圖案以及位于所述支撐圖案和所述溝道連接圖案上的多個柵電極。所述柵電極可以在基本上垂直于所述襯底的上表面的垂直方向上彼此間隔開。所述垂直存儲器件可以包括多個絕緣圖案，所述多個絕緣圖案包括在所述襯底上的位于相應的柵電極與多個溝道之間的高度處的第一絕緣圖案，每個所述溝道沿所述垂直方向延伸并且穿透所述柵電極和所述絕緣圖案。所述垂直存儲器件可以包括沿所述垂直方向延伸并覆蓋所述溝道的外側壁的電荷存儲結構。所述電荷存儲結構可以包括沿著與所述襯底的所述上表面基本上平行的水平方向從所述溝道的所述外側壁順序堆疊的隧道絕緣圖案、電荷俘獲圖案和阻擋圖案。所述垂直存儲器件可以包括多個掩埋圖案結構，其中每個掩埋圖案結構在所述溝道與相應的絕緣圖案之間被所述隧道絕緣圖案和所述電荷俘獲圖案圍繞。每個掩埋圖案結構可以包括內側壁和外側壁以及下表面和上表面。所述內側壁可以與所述隧道絕緣圖案接觸，所述外側壁、所述下表面和所述上表面可以與所述電荷俘獲圖案接觸。所述多個溝道可以通過所述溝道連接圖案彼此電連接，并且所述電荷俘獲圖案可以具有恒定的厚度。