[發(fā)明專利]垂直存儲器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010150059.4
• 申請日: 2020-03-06
• 公開（公告）號: CN111952315A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 辛京準(zhǔn);羅炫錫;鄭潤圭;李熙重;洪昇完
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種垂直存儲器件，包括：

多個柵電極，所述多個柵電極彼此間隔開并且沿基本上垂直于襯底的上表面的垂直方向順序地堆疊，所述多個柵電極包括第一柵電極和第二柵電極；

多個絕緣圖案，所述多個絕緣圖案分別位于所述柵電極之間，所述多個絕緣圖案包括位于所述第一柵電極與所述第二柵電極之間的高度處的第一絕緣圖案；

溝道，所述溝道在所述襯底上沿所述垂直方向延伸，所述溝道至少穿透所述第一柵電極、所述第二柵電極和所述第一絕緣圖案；

電荷存儲結(jié)構(gòu)，所述電荷存儲結(jié)構(gòu)沿所述垂直方向延伸并覆蓋所述溝道的外側(cè)壁，所述電荷存儲結(jié)構(gòu)包括沿基本上平行于所述襯底的所述上表面的水平方向從所述溝道的所述外側(cè)壁順序地堆疊的隧道絕緣圖案、電荷俘獲圖案和阻擋圖案；以及

多個掩埋圖案結(jié)構(gòu)，所述多個掩埋圖案結(jié)構(gòu)包括第一掩埋圖案結(jié)構(gòu)，每個掩埋圖案結(jié)構(gòu)在所述溝道與相應(yīng)的絕緣圖案之間被所述隧道絕緣圖案和所述電荷俘獲圖案圍繞，每個掩埋圖案結(jié)構(gòu)包括與所述隧道絕緣圖案接觸的內(nèi)側(cè)壁和與所述電荷俘獲圖案接觸的外側(cè)壁，

其中，所述電荷俘獲圖案的第一部分的最大厚度小于或等于所述電荷俘獲圖案的第二部分的最大厚度，所述第一部分具有相對于所述襯底的所述上表面垂直的側(cè)壁并且在所述水平方向上位于所述溝道與所述第一柵電極之間，所述第二部分具有相對于所述襯底的所述上表面垂直的側(cè)壁并且在所述水平方向上位于所述溝道與所述第一絕緣圖案之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，其中，所述電荷俘獲圖案的厚度是恒定的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，其中，所述第一掩埋圖案結(jié)構(gòu)的所述內(nèi)側(cè)壁沿所述水平方向向著所述溝道是凹狀的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，其中，所述第一掩埋圖案結(jié)構(gòu)的所述內(nèi)側(cè)壁沿所述垂直方向延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，其中，所述第一掩埋圖案結(jié)構(gòu)的所述內(nèi)側(cè)壁沿所述水平方向向著所述溝道是凸?fàn)畹摹?/p>

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，其中，所述第一掩埋圖案結(jié)構(gòu)包括沿所述水平方向從所述電荷俘獲圖案的側(cè)壁順序地堆疊的第一掩埋圖案和第二掩埋圖案。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的垂直存儲器件，其中，所述第一掩埋圖案包括氧化硅，所述第二掩埋圖案包括氧化硅或氮氧化硅之一。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，其中，所述電荷俘獲圖案的所述第一部分和所述第二部分在所述水平方向上均具有恒定的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的垂直存儲器件，所述垂直存儲器件還包括：

溝道連接圖案，所述溝道連接圖案位于所述襯底與所述第二柵電極之間，所述溝道連接圖案包括摻雜有雜質(zhì)的多晶硅。