[發明專利]圖像傳感器列處理模塊隔直電容的實現方法有效
| 申請號： | 202010149469.7 | 申請日： | 2020-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN113365005B | 公開（公告）日： | 2023-06-09 |
| 發明（設計）人： | 喬勁軒;李敏蘭 | 申請（專利權）人： | 格科微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H04N25/76 | 分類號： | H04N25/76;H01L27/146 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖像傳感器 處理 模塊 電容 實現 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種圖像傳感器列處理模塊隔直電容的實現方法，其特征在于，通過靈活選擇隔直電容的電容類型、電容值大小以及版圖布局，使得像素單元的輸出信號端耦合至容值密度較高、耐壓值較低的第一電容，參考信號端耦合至容值密度較低、耐壓值較高的第二電容，以實現輸出信號和參考信號在列處理模塊的隔直。
2.如權利要求1所述的圖像傳感器列處理模塊隔直電容的實現方法，其特征在于，所述第一電容的電容值大于等于第二電容的電容值，從而節省電路設計面積，優化圖像傳感器的性能。
3.如權利要求1所述的圖像傳感器列處理模塊隔直電容的實現方法，其特征在于，所述第一電容與第二電容的版圖布局采用不對稱設計。
4.如權利要求1所述的圖像傳感器列處理模塊隔直電容的實現方法，其特征在于，所述第一電容與第二電容的類型為MIM電容、MOM電容、溝槽電容、PIP電容、薄氧MOS電容、厚氧MOS電容中任意一種。
5.如權利要求4所述的圖像傳感器列處理模塊隔直電容的實現方法，其特征在于，所述第一電容為薄氧MOS電容，所述第二電容為厚氧MOS電容。
6.如權利要求4所述的圖像傳感器列處理模塊隔直電容的實現方法，其特征在于，所述薄氧MOS電容為邏輯器件，所述厚氧MOS電容為輸入輸出器件。
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