[發明專利]射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法

在審

• 申請號: 202010148858.8
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN113364419A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 陳真;劉曉軍;韓娜
• 申請（專利權）人: 合肥先微企業管理咨詢合伙企業（有限合伙）;合肥爾微企業管理咨詢合伙企業（有限合伙）
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/15
• 代理公司: 上海段和段律師事務所 31334
• 代理人: 李佳俊;郭國中

本發明提供了射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法，包括：在襯底層的上表面形成空氣反射腔所需形狀的犧牲層，在犧牲層外側形成射頻壓電諧振器，然后刻蝕去除犧牲層；或者，在凹形的襯底層的凹槽中填充犧牲層材料形成犧牲層，在犧牲層外側形成射頻壓電諧振器，然后刻蝕去除犧牲層。本發明提供的兩種射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法填補了空氣腔體制備的空白。

技術領域

本發明涉及諧振器領域，具體地，涉及一種射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法。

背景技術

射頻壓電諧振器主要應用在無線通信尤其是5G通信之中，它是構造射頻濾波器和振蕩器的核心器件。隨著4G和5G通信的快速發展，近年來體聲波壓電諧振器因其高品質因數、高頻率等特性，已被廣泛應用在各種射頻終端之中。決定體聲波諧振器品質因數的最關鍵因素是其空氣反射腔。空氣反射腔的性能和加工難度直接影響著諧振器的品質因數、成本和加工穩定性。現有技術中存在體聲波諧振器(申請號為201721256316.8的中國實用新型專利申請)，此專利提出一種具有凹槽形空氣腔體結構的薄膜體聲波諧振器。

現有技術的不足之處是：該專利申請僅僅勾勒出最常見空氣腔體的形狀和位置，而體聲波諧振器的空氣反射腔的形狀和位置信息已在眾多文獻和資料中介紹過。此外，現有技術專利沒有關于空氣腔體具體制備過程的介紹，缺少了空氣腔體制備的核心方法。

發明內容

針對現有技術中的缺陷，本發明的目的是提供一種射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法。

根據本發明提供的一種射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法，包括：

在襯底層的上表面形成空氣反射腔所需形狀的犧牲層，在犧牲層外側形成射頻壓電諧振器，然后刻蝕去除犧牲層；或者，

在凹形的襯底層的凹槽中填充犧牲層材料形成犧牲層，在犧牲層外側形成射頻壓電諧振器，然后刻蝕去除犧牲層。

優選地，在襯底層的上表面形成壓電層的方法包括：

襯底制備步驟：依次疊加制備多層襯底層；

犧牲層制備步驟：在襯底層的頂部上表面制備空氣反射腔所需形狀的犧牲層；

射頻壓電諧振器制備步驟：在犧牲層外側面制備射頻壓電諧振器；

犧牲層刻蝕步驟：向犧牲層注入刻蝕介質，去除犧牲層。

優選地，所述襯底層包括：第一襯底層、第二襯底層和第三襯底層；

所述第二襯底層制備在所述第一襯底層上表面，所述第三襯底層制備在所述第二襯底層上表面；

所述第一襯底層和所述第二襯底層采用高電阻材料，所述第二襯底層的電阻值高于所述第一襯底層的電阻值，所述第三襯底層采用高電阻和防刻蝕材料。

優選地，所述第一襯底層的厚度包括100微米至1000微米，所述第二襯底層的厚度包括100納米至500納米，所述第三襯底層的厚度包括100納米至500納米。

優選地，所述刻蝕氣體包括XeF₂氣體或與犧牲層反應的氣體。

優選地，在凹形的襯底層上表面形成壓電層的方法包括：

襯底制備步驟：制備襯底層，在襯底層上表面進行處理形成空氣反射腔所需形狀的凹槽；

薄膜涂布步驟：在襯底層的上表面和凹槽的表面涂布原子薄膜；

犧牲層制備步驟：在凹槽內填充滿犧牲層材料；

射頻壓電諧振器制備步驟：在犧牲層外側面制備射頻壓電諧振器；

犧牲層刻蝕步驟：至于刻蝕氣體環境中，去除犧牲層。