[發(fā)明專利]射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法

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• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN113364419A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳真;劉曉軍;韓娜
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥先微企業(yè)管理咨詢合伙企業(yè)（有限合伙）;合肥爾微企業(yè)管理咨詢合伙企業(yè)（有限合伙）
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/15
• 代理公司: 上海段和段律師事務(wù)所 31334
• 代理人: 李佳俊;郭國中

1.一種射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底層的上表面形成空氣反射腔所需形狀的犧牲層，在犧牲層外側(cè)形成射頻壓電諧振器，然后刻蝕去除犧牲層；或者，

在凹形的襯底層的凹槽中填充犧牲層材料形成犧牲層，在犧牲層外側(cè)形成射頻壓電諧振器，然后刻蝕去除犧牲層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法，其特征在于，在襯底層的上表面形成壓電層的方法包括：

襯底制備步驟：依次疊加制備多層襯底層；

犧牲層制備步驟：在襯底層的頂部上表面制備空氣反射腔所需形狀的犧牲層；

射頻壓電諧振器制備步驟：在犧牲層外側(cè)面制備射頻壓電諧振器；

犧牲層刻蝕步驟：向犧牲層注入刻蝕氣體，去除犧牲層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法，其特征在于，所述襯底層包括：第一襯底層、第二襯底層和第三襯底層；

所述第二襯底層制備在所述第一襯底層上表面，所述第三襯底層制備在所述第二襯底層上表面；

所述第一襯底層和所述第二襯底層采用高電阻材料，所述第二襯底層的電阻值高于所述第一襯底層的電阻值，所述第三襯底層采用高電阻和防刻蝕材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法，其特征在于，所述第一襯底層的厚度包括100微米至1000微米，所述第二襯底層的厚度包括100納米至500納米，所述第三襯底層的厚度包括100納米至500納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法，其特征在于，所述刻蝕氣體包括XeF₂氣體或與犧牲層反應(yīng)的氣體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法，其特征在于，在凹形的襯底層上表面形成壓電層的方法包括：

襯底制備步驟：制備襯底層，在襯底層上表面進(jìn)行處理形成空氣反射腔所需形狀的凹槽；

薄膜涂布步驟：在襯底層的上表面和凹槽的表面涂布原子薄膜；

犧牲層制備步驟：在凹槽內(nèi)填充滿犧牲層材料；

射頻壓電諧振器制備步驟：在犧牲層外側(cè)面制備射頻壓電諧振器；

犧牲層刻蝕步驟：至于刻蝕氣體環(huán)境中，去除犧牲層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法，其特征在于，在襯底層上表面進(jìn)行處理形成凹槽的方法包括光刻、刻蝕。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法，其特征在于，在凹槽內(nèi)填充的犧牲層材料高度高于襯底層上表面的原子薄膜，再通過打磨使得犧牲層材料與襯底層上表面的原子薄膜齊平。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法，其特征在于，所述刻蝕氣體包括XeF₂氣體或與犧牲層反應(yīng)的氣體。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻壓電諧振器空氣反射腔的制備方法，其特征在于，所述射頻壓電諧振器包括壓電材料層、位于所述壓電材料層底面的底電極和位于所述壓電材料層頂面的上電極。