[發明專利]非易失性存儲器結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202010148409.3
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN113363263A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 陳羿輝;林志豪
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11578
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;劉芳

1.一種非易失性存儲器結構，其特征在于，包括：

基底；

多個電荷存儲層，位于所述基底上，其中相鄰兩個電荷存儲層之間具有開口；

第一介電層，位于所述多個電荷存儲層上與所述開口的表面上，其中位于所述開口中的所述第一介電層的底部剖面輪廓為兩側凹陷的輪廓；以及

控制柵極，位于所述第一介電層上，且填入所述開口。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器結構，其特征在于，還包括：

隔離層，位于相鄰兩個電荷存儲層之間的所述基底中，其中所述開口位于所述隔離層上方，且所述開口底部的兩側低于所述隔離層的頂部。

3.根據權利要求2所述的非易失性存儲器結構，其特征在于，所述隔離層的頂部高于所述多個電荷存儲層的底部，在所述隔離層中具有氣隙。

4.根據權利要求1所述的非易失性存儲器結構，其特征在于，當所述非易失性存儲器結構包括多個所述控制柵極時，所述多個控制柵極在第一方向上延伸且在第二方向上排列，所述第一方向相交于所述第二方向，且相鄰兩個控制柵極之間具有溝渠。

5.根據權利要求4所述的非易失性存儲器結構，其特征在于，還包括：

多個頂蓋層，位于所述多個控制柵極上，其中所述多個頂蓋層在所述第一方向上延伸，且在所述第二方向上排列，且所述溝渠位于相鄰兩個頂蓋層之間。

6.根據權利要求5所述的非易失性存儲器結構，其特征在于，還包括：

兩個側部結構，位于所述溝渠頂部的兩側壁上。

7.根據權利要求6所述的非易失性存儲器結構，其特征在于，每個側部結構具有相對的第一側與第二側，所述第一側比所述第二側更接近相鄰的所述頂蓋層，且所述第一側的底部高于所述第二側的底部。

8.根據權利要求4所述的非易失性存儲器結構，其特征在于，還包括：

第二介電層，填入所述溝渠中。

9.根據權利要求8所述的非易失性存儲器結構，其特征在于，在所述第二介電層中具有氣隙。

10.一種非易失性存儲器結構的制造方法，其特征在于，包括：

在基底上形成多個電荷存儲層，其中相鄰兩個電荷存儲層之間具有開口；

在所述多個電荷存儲層上與所述開口的表面上形成第一介電層，其中位于所述開口中的所述第一介電層的底部剖面輪廓為兩側凹陷的輪廓；以及

在所述第一介電層上形成控制柵極，其中所述控制柵極填入所述開口。

11.根據權利要求10所述的非易失性存儲器結構的制造方法，其特征在于，所述多個電荷存儲層的形成方法包括：

在所述基底上形成柵介電材料層；

在所述柵介電材料層上形成電荷存儲材料層；

在所述電荷存儲材料層上形成硬掩膜層；以及

對所述硬掩膜層、所述電荷存儲材料層、所述柵介電材料層與所述基底進行圖案化處理，而形成圖案化硬掩膜層、所述多個電荷存儲層與多個柵介電層，且在所述基底中形成溝渠，其中所述溝渠延伸至相鄰兩個電荷存儲層之間與所述圖案化硬掩膜層中。

12.根據權利要求11所述的非易失性存儲器結構的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述溝渠中形成隔離層，其中所述開口位于所述隔離層上方，且所述開口底部的兩側低于所述隔離層的頂部。