[發(fā)明專利]一種系統(tǒng)級(jí)扇出型封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010148148.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111430322A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔成強(qiáng);楊冠南;徐廣東;張昱 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L23/485 | 分類號(hào): | H01L23/485;H01L21/56;H01L21/68;H01L21/60 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102 | 代理人: | 林麗明 |
| 地址: | 510060 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 系統(tǒng) 級(jí)扇出型 封裝 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種系統(tǒng)級(jí)扇出型封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括均帶有凸點(diǎn)的芯片和分立器件、固定層、塑封層、再布線層、介電層以及焊錫球;所述芯片和所述分立器件的凸點(diǎn)均設(shè)置在同一側(cè),所述芯片和所述分立器件均通過(guò)各自的凸點(diǎn)與所述再布線層連接;所述介電層包括第一介電層以及第二介電層,所述第一介電層設(shè)置在所述再布線層上且位于靠近所述芯片和所述分立器件的一側(cè),所述第二介電層設(shè)置在所述再布線層上且位于遠(yuǎn)離所述第一介電層的一側(cè);所述焊錫球與所述再布線層連接且位于遠(yuǎn)離所述第一介電層的一側(cè);所述塑封層包裹在所述芯片和所述分立器件上;所述固定層分別設(shè)置在所述芯片與所述塑封層之間以及所述分立器件與所述塑封層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)級(jí)扇出型封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述固定層為固晶膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)級(jí)扇出型封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述固定層為定位焊球。
4.一種基于權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)級(jí)扇出型封裝結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)級(jí)扇出型封裝方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:在貼有臨時(shí)鍵合膠的載板上的局部位置,即后續(xù)芯片及分立器件的放置處,涂覆一層固晶膠;
S2:將芯片及分立器件以凸點(diǎn)向下的方向安裝到固晶膠上相應(yīng)的位置并加熱固定;
S3:進(jìn)行整體塑封;
S4:拆除臨時(shí)鍵合膠和載板,通過(guò)機(jī)械研磨的方式暴露芯片及分立器件的凸點(diǎn);
S5:覆蓋第一介電層,并通過(guò)圖案化刻蝕暴露芯片的凸點(diǎn);
S6:進(jìn)行種子層沉積和圖形電鍍,形成與芯片的凸點(diǎn)導(dǎo)通的再布線層,然后刻蝕去除種子層;
S7:覆蓋第二介電層,并進(jìn)行圖案化刻蝕、植球和切割,最后獲得所需封裝體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)級(jí)扇出型封裝方法,其特征在于,在步驟S2中,當(dāng)選用的芯片和分立器件的高度一致時(shí),采用凸點(diǎn)向上的方式安裝芯片。
6.一種基于權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)級(jí)扇出型封裝結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)級(jí)扇出型封裝方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:在貼有臨時(shí)鍵合膠的載板上的局部位置,即后續(xù)芯片及分立器件的放置處,沉積金屬種子層并進(jìn)行圖形電鍍形成金屬層;
S2:將芯片及分立器件以凸點(diǎn)向下的方向,通過(guò)焊球-回流焊工藝,將凸點(diǎn)通過(guò)定位焊球固定到金屬層的相應(yīng)位置上;
S3:進(jìn)行整體塑封;
S4:拆除臨時(shí)鍵合膠和載板,通過(guò)機(jī)械研磨的方式去除金屬層,并暴露出與芯片及分立器件凸點(diǎn)連接的定位焊球;或者進(jìn)一步研磨,將定位焊球也去除,暴露出與芯片及分立器件的凸點(diǎn);
S5:覆蓋第一介電層,并通過(guò)圖案化刻蝕暴露定位焊球;
S6:進(jìn)行種子層沉積和圖形電鍍,形成與定位焊球、芯片凸點(diǎn)導(dǎo)通的再布線層,然后刻蝕去除種子層;
S7:覆蓋第二介電層,并進(jìn)行圖案化刻蝕、植球和切割,最后獲得所需封裝體。
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