[發(fā)明專利]一種改善蝕刻均勻性的曝光方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010147136.0
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN111273520B
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪文慶
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江晶引電子科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 蘇州言思嘉信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32385
• 代理人: 徐永雷

本發(fā)明公開了一種改善蝕刻均勻性的曝光方法，涉及到蝕刻曝光方法技術(shù)領(lǐng)域，a、設(shè)備調(diào)試：準(zhǔn)備曝光機(jī)，進(jìn)行曝光前，需針對使用的曝光機(jī)以test模式各別做出不同曝光能量時(shí)間及各別焦距的矩陣圖形，用以確認(rèn)此曝光機(jī)單次曝光時(shí)，適用的能量時(shí)間及可用之焦距景深范圍找出其適用曝光能量與中心焦距；b、進(jìn)行曝光：確認(rèn)適用曝光能量及中心焦距后可開始進(jìn)行曝光；c、設(shè)定曝光區(qū)域：設(shè)定4寸芯片半徑為50um，在設(shè)定的曝光條件下，劃為3塊區(qū)域，第一區(qū)域?yàn)橹行闹涟霃?5um處；第二區(qū)域?yàn)榘霃?5um處至半徑40um處；第三區(qū)域?yàn)榘霃?0um處至半徑50um處；顯影制程：完成曝光后，將完成曝光Sapphire?wafer退出進(jìn)行后續(xù)顯影制程，具有均勻性更佳的特點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及蝕刻曝光方法技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種改善蝕刻均勻性的曝光方法。

背景技術(shù)

蝕刻機(jī)主要應(yīng)用于航空、機(jī)械、標(biāo)牌工業(yè)中，蝕刻機(jī)技術(shù)廣泛地被使用于減輕重量儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等之加工。在半導(dǎo)體和線路版制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。也可對各種金屬如：鐵、銅、鋁、鈦金、不銹鋼、鋅版、等金屬和金屬制品的表面蝕刻圖紋、花紋、幾何形狀，并能精確鏤空。也可專業(yè)針對各種型號的國產(chǎn)和進(jìn)口不銹鋼進(jìn)行蝕刻和薄板切割，如今廣泛應(yīng)用于金卡標(biāo)牌加工、手機(jī)按鍵加工、不銹鋼濾網(wǎng)加工、不銹鋼電梯裝飾板加工、金屬引線框加工、金屬眼鏡腳絲加工、線路板加工、裝飾性金屬板加工等工業(yè)用途。

由于干式蝕刻機(jī)在腔體邊緣與腔體中心蝕刻速率有所差異，導(dǎo)致蝕刻后芯片中心與外圈剖面結(jié)構(gòu)差異較大，所以現(xiàn)在需要一種改善蝕刻均勻性的曝光方法來幫助解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種改善蝕刻均勻性的曝光方法，以解決上述背景技術(shù)中提出的蝕刻后芯片中心與外圈剖面結(jié)構(gòu)差異較大的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種改善蝕刻均勻性的曝光方法，所述曝光方法包括以下步驟：

a、設(shè)備調(diào)試：準(zhǔn)備曝光機(jī)，進(jìn)行曝光前，需針對使用的曝光機(jī)以test模式各別做出不同曝光能量時(shí)間及各別焦距的矩陣圖形，用以確認(rèn)此曝光機(jī)單次曝光時(shí)，適用的能量時(shí)間及可用之焦距景深范圍找出其適用曝光能量與中心焦距；

b、進(jìn)行曝光：確認(rèn)適用曝光能量及中心焦距后可開始進(jìn)行曝光；

c、設(shè)定曝光區(qū)域：設(shè)定4寸芯片半徑為50um，在設(shè)定的曝光條件下，劃為3塊區(qū)域，第一區(qū)域?yàn)橹行闹涟霃?5um處；第二區(qū)域?yàn)榘霃?5um處至半徑40um處；第三區(qū)域?yàn)榘霃?0um處至半徑50um處；

d、顯影制程：完成曝光后，將完成曝光Sapphire?wafer退出進(jìn)行后續(xù)顯影制程；

e、尺寸對比：完成顯影制程后使用CD-SEM量測即可得所需尺寸大小與差異化PATTERN圖形分布；

f、圖形觀察：使用CD-SEM觀察變焦曝光顯影后pattern?profile，以治工具將曝光區(qū)域中心小面積位置表面光阻輕輕刮開推倒光阻后，觀察光阻圖形狀況；

g、對比：將新制程所生產(chǎn)的光阻片進(jìn)行蝕刻制程，并經(jīng)AOI量測與蝕刻制程后的原制程所生產(chǎn)的光阻片比較差異。

優(yōu)選的，所述曝光機(jī)景深共有1um的可用范圍，以0.5um處做為中心焦距。

優(yōu)選的，所述第一區(qū)域曝光條件以中心焦距+0.3um、曝光能量以最適能量196msec進(jìn)行曝光。

優(yōu)選的，所述第二區(qū)域曝光條件以中心焦距+0.2um、曝光能量以能量194msec進(jìn)行曝光。

優(yōu)選的，所述第三區(qū)域曝光條件以中心焦距0.5um、曝光能量以能量192msec進(jìn)行曝光。

本發(fā)明的技術(shù)效果和優(yōu)點(diǎn)：