[發明專利]一種改善蝕刻均勻性的曝光方法

有效

• 申請號: 202010147136.0
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN111273520B
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發明（設計）人: 洪文慶
• 申請（專利權）人: 浙江晶引電子科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 蘇州言思嘉信專利代理事務所(普通合伙) 32385
• 代理人: 徐永雷

1.一種改善蝕刻均勻性的曝光方法，其特征在于：所述曝光方法包括以下步驟：

a、設備調試：準備曝光機，進行曝光前，需針對使用的曝光機以test模式各別做出不同曝光能量時間及各別焦距的矩陣圖形，用以確認此曝光機單次曝光時，適用的能量時間及可用之焦距景深范圍找出其適用曝光能量與中心焦距；

b、進行曝光：確認適用曝光能量及中心焦距后可開始進行曝光，曝光機景深共有1um的可用范圍，以0.5um處做為中心焦距；第一區域曝光條件以中心焦距+0.3um、曝光能量以最適能量196msec進行曝光，第二區域曝光條件以中心焦距+0.2um、曝光能量以能量194msec進行曝光，第三區域曝光條件以中心焦距0.5um、曝光能量以能量192msec進行曝光；

c、設定曝光區域：設定4寸芯片半徑為50um，在設定的曝光條件下，劃為3塊區域，第一區域為中心至半徑25um處；第二區域為半徑25um處至半徑40um處；第三區域為半徑40um處至半徑50um處；

d、顯影制程：完成曝光后，將完成曝光Sapphire?wafer退出進行后續顯影制程；

e、尺寸對比：完成顯影制程后使用CD-SEM量測即可得所需尺寸大小與差異化PATTERN圖形分布；

f、圖形觀察：使用CD-SEM觀察變焦曝光顯影后pattern?profile，以治工具將曝光區域中心小面積位置表面光阻輕輕刮開推倒光阻后，觀察光阻圖形狀況；

g、對比：將新制程所生產的光阻片進行蝕刻制程，并經AOI量測與蝕刻制程后的原制程所生產的光阻片比較差異。