[發(fā)明專利]一種清洗裝置及清洗方法有效
申請?zhí)枺?/td> | 202010147104.0 | 申請日: | 2020-03-05 |
公開(公告)號: | CN111341697B | 公開(公告)日: | 2023-10-17 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王虎 | 申請(專利權(quán))人: | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/027;B08B3/08;B08B7/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 呂姝娟 |
地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 一種 清洗 裝置 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種清洗裝置及清洗方法。清洗裝置用于傳送并清洗表面帶有金屬膜的基板,包括有機(jī)顆粒去除單元、氣相還原單元、藥液中和單元、無機(jī)顆粒去除單元以及風(fēng)刀除水單元。所述氣相還原單元的入口與所述有機(jī)顆粒去除單元的出口連接,用于通過填充還原性氣體并利用氣相還原方法還原所述金屬膜表面的金屬氧化物。本發(fā)明通過增加氣相還原單元在還原性氣體的作用下去除金屬膜表面的金屬氧化物,避免電極材料的金屬膜在黃光清洗后在其表面產(chǎn)生的金屬氧化物,使器件電學(xué)性能良好,保證了基板亮度均勻。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及清洗領(lǐng)域,尤其涉及一種清洗裝置及清洗方法。
背景技術(shù)
面板顯示行業(yè)中,常規(guī)的陣列制程黃光(Photo)清洗段包括:有機(jī)顆粒去除單元(EUV)、藥液單元、毛刷單元(Brush)、二流體清洗單元(AAJET)、水洗單元和風(fēng)刀除水單元。
隨著大尺寸及高分辨率的薄膜晶體管液晶顯示器市場需求的增加,采用低電阻率的銅(Cu)取代鋁(Al)作為電極材料來避免電阻電容(RC)延遲風(fēng)險(xiǎn)已成為行業(yè)的普遍做法。與Al制程相比,由于Cu易被氧化,Cu制程基板在進(jìn)行常規(guī)的黃光清洗后,表面會被氧化,使器件電學(xué)性能受到影響,嚴(yán)重地,在整個(gè)基板上會有很多點(diǎn)狀和紋狀亮度不均勻(Mura)現(xiàn)象,導(dǎo)致產(chǎn)品品質(zhì)不良。
面板顯示行業(yè),由于在常規(guī)黃光段清洗方法會造成電極材料的金屬膜被氧化腐蝕而導(dǎo)致品質(zhì)不良。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種新的清洗裝置及清洗方法,通過增加氣相還原單元可有效避免電極材料的金屬膜在黃光清洗后在其表面產(chǎn)生的金屬氧化物,使器件電學(xué)性能良好,保證了基板亮度均勻。
為了實(shí)現(xiàn)以上目的,本發(fā)明提供了一種清洗裝置,用于傳送并清洗表面帶有金屬膜的基板,包括有機(jī)顆粒去除單元、氣相還原單元、藥液中和單元、無機(jī)顆粒去除單元以及風(fēng)刀除水單元。具體的講,在清洗時(shí)表面帶有金屬膜的基板進(jìn)入所述有機(jī)顆粒去除單元,經(jīng)過紫外線照射去除所述金屬膜上的粒子;所述氣相還原單元的入口與所述有機(jī)顆粒去除單元的出口連接,用于通過填充還原性氣體并利用氣相還原方法還原所述金屬膜表面的金屬氧化物;所述藥液中和單元的入口與所述氣相還原單元的出口連接,用于噴淋藥液中和附著于所述金屬膜表面的酸性物質(zhì)或堿性物質(zhì);所述無機(jī)顆粒去除單元的入口與所述藥液清洗單元的出口連接,用于去除所述金屬膜表面的無機(jī)粒子;所述風(fēng)刀除水單元的入口與所述無機(jī)顆粒去除單元的出口連接,用于除去所述金屬膜表面上含雜質(zhì)的清洗液。
進(jìn)一步地,所述金屬膜的材料包括銅。
進(jìn)一步地,所述氣相還原方法包括高溫高壓還原法或真空等離子還原法。
進(jìn)一步地,所述無機(jī)顆粒去除單元包括毛刷單元、二流體清洗單元以及水洗單元。具體的講,所述毛刷單元的入口與所述藥液中和單元的出口連接,用于去除所述金屬膜表面的大顆粒和小顆粒的無機(jī)粒子;所述二流體清洗單元的入口與所述毛刷單元的出口連接,用于去除所述金屬膜表面的小顆粒粒子;所述水洗單元的入口與所述毛刷單元的出口連接,用于再次清洗所述金屬膜表面上的無機(jī)粒子。
本發(fā)明還提供了一種清洗方法,包括以下步驟:
設(shè)置清洗裝置步驟,設(shè)置一清洗裝置,用于傳送并清洗表面帶有金屬膜的基板,包括依次首尾相接的有機(jī)顆粒去除單元、氣相還原單元、藥液中和單元、無機(jī)顆粒去除單元以及風(fēng)刀除水單元;
有機(jī)顆粒去除步驟:在所述有機(jī)顆粒去除單元內(nèi)通過紫外線照射去除所述金屬膜上的有機(jī)粒子;
還原金屬氧化物步驟:在所述氣相還原單元內(nèi)通過填充還原性氣體還原所述金屬膜表面的金屬氧化物;
中和步驟:在所述藥液中和單元內(nèi)噴淋藥液中和附著于所述金屬膜表面的酸性物質(zhì)或堿性物質(zhì);
無機(jī)顆粒去除步驟:在無機(jī)顆粒去除單元內(nèi)去除所述金屬膜表面的無機(jī)粒子;以及
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造