[發明專利]一種清洗裝置及清洗方法

有效

• 申請號: 202010147104.0
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN111341697B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: 王虎
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02;H01L21/027;B08B3/08;B08B7/00
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

1.一種清洗裝置，用于傳送并清洗表面帶有金屬膜的基板，其特征在于，包括：

有機顆粒去除單元，在清洗時表面帶有金屬膜的基板進入所述有機顆粒去除單元，經過紫外線照射去除所述金屬膜上的粒子；

氣相還原單元，其入口與所述有機顆粒去除單元的出口連接，用于通過填充還原性氣體并利用氣相還原方法還原所述金屬膜表面的金屬氧化物；

藥液中和單元，其入口與所述氣相還原單元的出口連接，用于噴淋藥液中和附著于所述金屬膜表面的酸性物質或堿性物質；

無機顆粒去除單元，其入口與所述藥液清洗單元的出口連接，用于去除所述金屬膜表面的無機粒子；以及

風刀除水單元，其入口與所述無機顆粒去除單元的出口連接，用于除去所述金屬膜表面上含雜質的清洗液。

2.根據權利要求1所述的清洗裝置，其特征在于，所述金屬膜的材料包括銅。

3.根據權利要求1所述的清洗裝置，其特征在于，所述氣相還原方法包括高溫高壓還原法或真空等離子還原法。

4.根據權利要求1所述的清洗裝置，其特征在于，所述無機顆粒去除單元包括：

毛刷單元，其入口與所述藥液中和單元的出口連接，用于去除所述金屬膜表面的大顆粒無機粒子；

二流體清洗單元，其入口與所述毛刷單元的出口連接，用于去除所述金屬膜表面的小顆粒無機粒子；以及

水洗單元，其入口與所述毛刷單元的出口連接，用于再次清洗所述金屬膜表面上的無機粒子。

5.一種清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：

設置清洗裝置步驟，設置一清洗裝置，用于傳送并清洗表面帶有金屬膜的基板，包括依次首尾相接的有機顆粒去除單元、氣相還原單元、藥液中和單元、無機顆粒去除單元以及風刀除水單元；

有機顆粒去除步驟：在所述有機顆粒去除單元內通過紫外線照射去除所述金屬膜上的有機粒子；

還原金屬氧化物步驟：在所述氣相還原單元內填充還原性氣體通過氣相還原方法還原所述金屬膜表面的金屬氧化物；

中和步驟：在所述藥液中和單元內噴淋藥液中和附著于所述金屬膜表面的酸性物質或堿性物質；

無機顆粒去除步驟：在無機顆粒去除單元內去除所述金屬膜表面的無機粒子；以及

除水干燥步驟：在風刀除水單元內除去所述金屬膜表面上含雜質的清洗液。

6.根據權利要求5所述的清洗方法，其特征在于：所述無機顆粒去除步驟還包括：

毛刷清理步驟，在所述毛刷單元內去除所述金屬膜表面的大顆粒無機粒子；

二流體清洗步驟，在二流體清洗單元內去除所述金屬膜表面的小顆粒無機粒子；以及

水洗步驟，在水洗單元內再次清洗所述金屬膜表面上的無機粒子。

7.根據權利要求5所述的清洗方法，其特征在于，所述氣相還原方法包括高溫高壓還原法或真空等離子還原法。

8.根據權利要求7所述的清洗方法，其特征在于，所述高溫高壓還原法包括如下步驟：

所述基板進入所述密封腔；

對所述密封腔進行第一次抽真空；

抽真空后在所述密封腔中充入還原性氣體，所述基板在還原性氣體的作用下進行還原反應；

對所述密封腔進行第二次抽真空；

對所述密封腔充入空氣并處于常壓狀態；以及

所述基板離開所述密封腔。

9.根據權利要求7所述的清洗方法，其特征在于，所述真空等離子還原法包括如下步驟：

所述基板進入所述密封腔；

對所述密封腔進行抽真空；

抽真空后在所述密封腔中充入還原性氣體，所述還原性氣體在射頻電源下形成等離子體，所述基板在所述等離子體的作用下進行還原反應；

對所述密封腔充入空氣并處于常壓狀態；以及

所述基板離開所述密封腔。

10.根據權利要求5所述的清洗方法，其特征在于，所述還原性氣體為H₂、CO、H₂S、NH₃中的任一種。