[發(fā)明專利]集成電路版圖重建方法、裝置、電子設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010146378.8
• 申請(qǐng)日: 2020-03-05
• 公開（公告）號(hào): CN111445396A
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王力緯;孫宸;侯波;雷登云;恩云飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn)研究所（（工業(yè)和信息化部電子第五研究所）（中國賽寶實(shí)驗(yàn)室））
• 主分類號(hào): G06T5/00
• 分類號(hào): G06T5/00;G06T3/40;G06T7/00
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 熊文杰

本發(fā)明涉及一種集成電路版圖重建方法、裝置、電子設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，集成電路版圖重建方法包括：獲取待重建集成電路版圖的第一圖像；根據(jù)預(yù)設(shè)的糾偏規(guī)則對(duì)第一圖像進(jìn)行處理，以獲取第二圖像，糾偏規(guī)則用于校正第一圖像的畸變；根據(jù)預(yù)設(shè)的重建模型對(duì)第二圖像進(jìn)行處理，以獲取第三圖像，重建模型用于提高第二圖像的分辨率?；陬A(yù)設(shè)的糾偏規(guī)則對(duì)第一圖像進(jìn)行處理，解決了掃描電子顯微鏡獲取的第一圖像的畸變問題，使第二圖像能夠真實(shí)地反映實(shí)際電路分布情況，從而避免了第一圖像畸變的質(zhì)量問題對(duì)重建圖像的準(zhǔn)確度的影響，進(jìn)一步地，再利用預(yù)設(shè)的重建模型根據(jù)低分辨率的第二圖像獲取高分辨率的第三圖像，降低了獲取高分辨率圖像的設(shè)備成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路版圖重建方法、裝置、電子設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)

集成電路作為現(xiàn)代信息化裝備的核心，具有極高的知識(shí)產(chǎn)權(quán)價(jià)值。因此，為了保護(hù)自身權(quán)益，避免具有專利權(quán)的版圖設(shè)計(jì)被侵權(quán)，需要判斷競品芯片的版圖與本公司芯片的版圖之間的相似性。目前常用的相似性判斷方法是通過對(duì)競品芯片進(jìn)行開封、去層、掃描電子顯微鏡逐層拍照、版圖提取與比對(duì)等步驟，來判斷兩個(gè)芯片的版圖是否相似。由于掃描電子顯微鏡的拍照成本與拍照的放大倍率相關(guān)，為了獲取高分辨率的競品芯片的版圖需要采用高成本的拍照設(shè)備。

基于以上問題，技術(shù)人員提出了一種根據(jù)低分辨率圖片獲取高分辨率圖片的方法，即通過逆采樣構(gòu)造擬合曲面進(jìn)行初始放大圖像操作，然后對(duì)放大后的圖像應(yīng)用分?jǐn)?shù)階偏微分方程進(jìn)行后處理得到放大后的高分辨率圖像。但是，低價(jià)格的掃描電子顯微鏡拍攝的圖片質(zhì)量不佳，而且這種方法通常只能檢測到毫米級(jí)的生產(chǎn)缺陷，但是當(dāng)前集成電路版圖的特征尺寸已經(jīng)進(jìn)入納米量級(jí)。因此，目前的方法已經(jīng)無法提供準(zhǔn)確的高分辨率圖像和相似度評(píng)價(jià)結(jié)果，很難滿足日益發(fā)展的分析需求。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)獲取高分辨率版圖圖片的成本高、準(zhǔn)確度不足的問題，提供一種集成電路版圖重建方法、裝置、電子設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。

一種集成電路版圖重建方法，包括：

獲取待重建集成電路版圖的第一圖像；

根據(jù)預(yù)設(shè)的糾偏規(guī)則對(duì)所述第一圖像進(jìn)行處理，以獲取第二圖像，所述糾偏規(guī)則用于校正所述第一圖像的畸變；

根據(jù)預(yù)設(shè)的重建模型對(duì)所述第二圖像進(jìn)行處理，以獲取攜帶設(shè)定分辨率的重建集成電路版圖信息的第三圖像。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述根據(jù)預(yù)設(shè)的糾偏規(guī)則對(duì)所述第一圖像進(jìn)行處理，以獲取第二圖像前，包括：

獲取糾偏陣列的陣列設(shè)計(jì)版圖；

根據(jù)所述陣列設(shè)計(jì)版圖制備糾偏陣列樣品；

獲取所述糾偏陣列樣品的糾偏圖像；

獲取所述陣列設(shè)計(jì)版圖與所述糾偏圖像之間的坐標(biāo)映射關(guān)系，將所述坐標(biāo)映射關(guān)系作為所述糾偏規(guī)則。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述陣列設(shè)計(jì)版圖包括多個(gè)呈陣列式均勻排布的第一通孔，所述糾偏圖像包括多個(gè)第二通孔，所述第二通孔與所述第一通孔一一對(duì)應(yīng)，所述獲取所述陣列設(shè)計(jì)版圖與所述糾偏圖像之間的坐標(biāo)映射關(guān)系，包括：

獲取每個(gè)所述第一通孔的特征點(diǎn)坐標(biāo)，形成第一坐標(biāo)集；

獲取每個(gè)所述第二通孔的特征點(diǎn)坐標(biāo)，形成第二坐標(biāo)集；

根據(jù)所述第一坐標(biāo)集和所述第二坐標(biāo)集獲取所述坐標(biāo)映射關(guān)系。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述根據(jù)所述第一坐標(biāo)集和所述第二坐標(biāo)集獲取所述坐標(biāo)映射關(guān)系，包括：

根據(jù)所述第一坐標(biāo)集和所述第二坐標(biāo)集利用雙線性插值法獲取所述坐標(biāo)映射關(guān)系。