[發明專利]用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器

有效

• 申請號: 202010146284.0
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN111383674B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 劉芳芳;邵博聞
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06;G11C7/08
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本申請涉及半導體集成電路技術領域，具體涉及一種用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器。用于提供參考電流的參考存儲單元，參考存儲單元包括并聯的第一SONOS器件和第二SONOS器件，第一SONOS器件的漏極和第二SONOS器件的漏極相連的節點作為參考存儲單元的參考節點；第一電流鉗位電路用將流過第一電流鉗位電路的電流鉗位到與參考存儲單元的電流相等；第一預充電電路用于對第一數據節點進行充電；第二電流鉗位電路用于將流過第二電流鉗位電路的電流鉗位到與數據存儲單元的電流相等；第二預充電電路用于對第二數據節點進行充電；電流鏡像電路用于將輸入第一數據節點的參考電流鏡像輸出至第二數據節點；比較電路用于根據參考電流與數據存儲單元電流的比較結果輸出數據。

技術領域

本申請涉及半導體集成電路技術領域，具體涉及一種用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器。

背景技術

靈敏放大器在對選取的存儲電路進行讀取的工作過程包括預充電過程和放大過程。

預充電過程(Pre-charge)中：通過向預充電模塊施加預充電信號，使得預充電模塊向數據節點充電，使得所述數據節點電壓上升至預充電電壓。

預充電結束后放大過程：將存儲器電路電流與參考電流進行比較，根據比較結果對數據節點進行充電或放電，將數據節點的電壓與參考電壓進行比較，根據比較結果形成輸出信號Dout。

存儲器電路的電流會根據其中所存儲信息的不同而不同，當存儲信息為“0”，也就是所述存儲器電路為擦除電路(Erase?Cell,E?Cell)，則存儲器電路中會流過大電流，在此情況下，只有與該E?Cell電流比較的參考電流適當的小，才能得出E?Cell電流大于參考電流的結果，使得Dout＝0，實現讀“0”正確；當存儲信息為“1”，也就是所述存儲器電路為編寫電路(Program?Cell,P?Cell)，則存儲器電路中的電流幾乎為零，在此情況下，只有與該PCell電流比較的參考電流適當的大，才能得出P?Cell電流小于參考電流的結果，使得Dout＝1，實現讀“1”正確。

對于相關技術中的SONOS存儲器的靈敏放大器，通常將E?Cell電流作為參考電流用于與存儲器電路的電流進行比較，然而隨著使用時間以及使用次數的增加，P?Cell電流會有所增加，此種情況下若仍然使用E?Cell電流作為參考電流，會由于單元窗口分配不合理會使得讀“1”時沒有合適的裕度，從而增大讀錯概率。

發明內容

本申請提供了一種用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器，可以解決相關技術中由于單元窗口分配不合理導致數據容易讀錯的問題。

一方面，本申請實施例提供了一種用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器，包括：

參考存儲單元、第一電流鉗位電路、第一預充電電路、數據存儲單元、第二電流鉗位電路、第二預充電電路、電流鏡像電路和比較電路；

所述參考存儲單元用于提供參考電流，所述參考存儲單元包括并聯的第一SONOS器件和第二SONOS器件，所述第一SONOS器件的漏極和所述第二SONOS器件的漏極相連的節點作為所述參考存儲單元的參考節點；

所述第一電流鉗位電路的響應端連接第一數據節點，所述第一電流鉗位電路的反饋端連接所述參考存儲單元的參考節點，用于在放大比較階段，將流過所述第一電流鉗位電路的電流鉗位到與所述參考存儲單元的電流相等；

所述第一預充電電路連接在電源電壓和第一數據節點之間，控制端連接預充控制電壓，用于在預充電階段對所述第一數據節點進行充電；

所述第二電流鉗位電路的響應端連接所述第二數據節點，所述第二電流鉗位電路的反饋端連接所述數據存儲單元的待讀取節點，用于在放大比較階段，將流過所述第二電流鉗位電路的電流鉗位到與所述數據存儲單元的電流相等；

所述第二預充電電路連接在電源電壓和第二數據節點之間，控制端連接預充控制電壓，用于在預充電階段對所述第二數據節點進行充電；