[發明專利]用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器

有效

• 申請號: 202010146284.0
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN111383674B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 劉芳芳;邵博聞
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06;G11C7/08
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器，其特征在于，包括：

參考存儲單元、第一電流鉗位電路、第一預充電電路、數據存儲單元、第二電流鉗位電路、第二預充電電路、電流鏡像電路和比較電路；

所述參考存儲單元用于提供參考電流，所述參考存儲單元包括并聯的第一SONOS器件和第二SONOS器件，所述第一SONOS器件的漏極和所述第二SONOS器件的漏極相連的節點作為所述參考存儲單元的參考節點；

所述第一電流鉗位電路的響應端連接第一數據節點，所述第一電流鉗位電路的反饋端連接所述參考存儲單元的參考節點，用于在放大比較階段，將流過所述第一電流鉗位電路的電流鉗位到與所述參考存儲單元的電流相等；

所述第一預充電電路連接在電源電壓和第一數據節點之間，控制端連接預充控制電壓，用于在預充電階段對所述第一數據節點進行充電；

所述第二電流鉗位電路的響應端連接第二數據節點，所述第二電流鉗位電路的反饋端連接所述數據存儲單元的待讀取節點，用于在放大比較階段，將流過所述第二電流鉗位電路的電流鉗位到與所述數據存儲單元的電流相等；

所述第二預充電電路連接在電源電壓和第二數據節點之間，控制端連接預充控制電壓，用于在預充電階段對所述第二數據節點進行充電；

所述電流鏡像電路連接在所述第一數據節點和所述第二數據節點之間，用于在放大比較階段將輸入第一數據節點的參考電流鏡像輸出至第二數據節點；

所述比較電路用于根據所述參考電流與所述數據存儲單元電流的比較結果輸出數據。

2.如權利要求1所述的用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器，其特征在于，所述第一預充電電路包括第一PMOS管，所述第一PMOS管的漏極連接電源電壓，源極連接所述第一數據節點，柵極為所述第一預充電電路的控制端。

3.如權利要求1所述的用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器，其特征在于，所述電流鏡像電路包括：

第一電流路徑，所述第一電流路徑連接在電源電壓和第一數據節點之間；

第二電流路徑，所述第二電流路徑連接在所述電源電壓和第二數據節點之間；

第一鏡像路徑，所述第一鏡像路徑的輸入端連接第一數據節點，所述第一鏡像路徑的輸出端連接所述第二電流路徑。

4.如權利要求3所述的用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器，其特征在于，所述第一電流路徑包括第二PMOS管，所述第二PMOS管的源極連接所述電源電壓，漏極連接所述第一數據節點。

5.如權利要求3所述的用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器，其特征在于，所述第二電流路徑包括第三PMOS管，所述第三PMOS管的漏極連接所述電源電壓，源極連接所述第二數據節點，柵極連接第二PMOS管的柵極。

6.如權利要求5所述的用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器，其特征在于，所述第一鏡像路徑輸出端連接所述第三PMOS管的柵極。

7.如權利要求1所述的用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器，其特征在于，所述第二預充電電路包括第四PMOS管，所述第四PMOS管的源極連接所述電源電壓，漏極連接所述第二數據節點，柵極為所述第二預充電電路的控制端。

8.如權利要求1所述的用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器，其特征在于，所述第一電流鉗位電路包括第一NMOS管和第一反相器，所述第一NMOS管的漏極為所述第一電流鉗位電路的響應端，源極連接所述第一反相器的輸入端，所述第一反相器輸出端連接所述第一NMOS管的柵極；

所述第一反相器的輸入端為所述第一電流鉗位電路的反饋端。

9.如權利要求1所述的用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器，其特征在于，所述第二電流鉗位電路包括第二NMOS管和第二反相器，所述第二NMOS管的漏極為所述第二電流鉗位電路的響應端，源極連接所述第二反相器的輸入端，所述第二反相器輸出端連接所述第二NMOS管的柵極；

所述第二反相器的輸入端為所述第二電流鉗位電路的反饋端。

10.如權利要求1所述的用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器，其特征在于，所述比較電路包括比較器，所述比較器的反相輸入端連接所述第二數據節點，正相輸入端連接參考電壓，所述比較器的輸出端為所述用于補償SONOS存儲器的靈敏放大器的輸出端。