[發明專利]一種平行排列制備發光多孔硅的方法

有效

• 申請號: 202010145601.7
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN111321454B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 汪艦;王童;胡保付;徐堅;劉丙國;杜保立
• 申請（專利權）人: 河南理工大學
• 主分類號: C25F3/12
• 分類號: C25F3/12;C25F7/00;C09K11/59
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種平行排列制備發光多孔硅的方法，其特征是，依次包括以下步驟：

1) 將厚度為 400~1000μm 的 P 型單晶硅片（8）依次放入丙酮、乙醇和去離子水中分別超聲清洗 5~15min，除去表面的臟污，然后在空氣中自然晾干備用；

2) 將無水乙醇和40%氫氟酸溶液按體積比為 1:6 ~2:1 進行混合，制得腐蝕液 （2）；

3) 取多個鉑電極（7），每個鉑電極（7）由鉑片（9）和鉑絲一（6）組成，在每兩個鉑電極（7）之間放置一片P 型單晶硅片（8），鉑片（9）的兩個表面上分別焊有兩根平行的鉑絲二（10），鉑絲一（6）均豎直向上，然后用夾板一（5-1）、夾板二（5-2）從兩端夾緊，用四個螺栓（3）分別穿過夾板一（5-1）和夾板二（5-2）對應的圓孔（11），再通過螺母（4）將夾板一（5-1）和夾板二（5-2）固定；

4) 將所述步驟 3)中固定好的裝置放在容器（1）的底部，將所述步驟 2)的腐蝕液（2）倒入容器（1）中，并使其液面高于所述步驟 3)的 P 型單晶硅片（8） 的高度；

5) 將所述步驟 3)中的鉑絲一（6）按照從左往右的次序，所有奇數的鉑絲一（6）連接到同一個電源的正極，所有偶數的鉑絲一（6）連接到同一個電源的負極，通入正弦電流-X~YmA，X 和 Y 的值在 10~400 之間，正弦電流周期為 5~30s，總時長為 60~240min；

6) 將反應后的 P 型單晶硅片（8）取出后用無水乙醇清洗，然后在室溫下干燥，得到雙面多孔硅樣品，在紫外光照射下，多孔硅發射可見光。

2.根據權利要求 1 所述的一種平行排列制備發光多孔硅的方法，其特征在于，所述步驟 1)中 P 型單晶硅片（8）為矩形硅片，硅片的長和寬與鉑片（9）的長和寬相等。

3.根據權利要求 1 所述的一種平行排列制備發光多孔硅的方法，其特征在于，所述步驟 3)中的鉑片（9）的兩個表面上設置的兩根平行的鉑絲二（10）中，每個面上的兩根鉑絲二（10）之間的距離小于硅片的寬度，且鉑絲二（10）與鉑絲一（6）平行。

4.根據權利要求 1 所述的一種平行排列制備發光多孔硅的方法，其特征在于，所述的容器（1）、螺栓（3）、螺母（4）、夾板一（5-1）和夾板二（5-2）的材料為聚四氟乙烯。