[發明專利]嵌入式焊盤結構的制作方法

在審

• 申請號: 202010144754.X
• 申請日: 2020-03-04
• 公開（公告）號: CN113363172A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 李建財;張傲峰
• 申請（專利權）人: 合肥晶合集成電路股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種嵌入式焊盤結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體基底，所述半導體基底具有頂部金屬層，所述頂部金屬層包括在半導體基底表面內間隔布置的第一連接部和第二連接部；

形成第一介質層和第一接觸墊，所述第一介質層覆蓋所述半導體基底、第一連接部和第二連接部，所述第一介質層中具有露出所述第一連接部上表面的第一通孔，所述第一接觸墊填滿所述第一通孔并與所述第一連接部電接觸；

形成第二介質層和導電插塞，所述第二介質層覆蓋所述第一介質層和第一接觸墊，形成第二通孔貫穿所述第一介質層和第二介質層的疊層并露出所述第二連接部上表面，所述導電插塞填滿所述第二通孔并與所述第二連接部電接觸；

形成第三介質層在所述第二介質層和所述導電插塞的上表面；

形成第三通孔在所述第三介質層中，所述第三通孔露出所述導電插塞；

形成第二接觸墊在所述第三通孔中，所述第二接觸墊通過所述導電插塞與所述第二連接部電連接；以及

形成第四通孔貫穿所述第三介質層和所述第二介質層的疊層并露出所述第一接觸墊，以所述第一接觸墊暴露的部分作為內焊盤，以所述第二接觸墊作為外焊盤。

2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一接觸墊的上表面高于所述第一介質層的上表面，且所述第二介質層的上表面高于所述第一接觸墊的上表面。

3.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二介質層和所述導電插塞的方法包括：

形成第二介質層在所述第一介質層和第一接觸墊的上表面；

形成圖形化的第一光阻層在所述第二介質層的上表面；

利用所述第一光阻層作為掩模，刻蝕所述第二介質層和所述第一介質層的疊層，以形成所述第二通孔；

去除所述第一光阻層；

沉積導電材料，以覆蓋所述第二介質層上表面并填滿所述第二通孔；以及

利用平坦化工藝，去除位于所述第二介質層上表面的導電材料，得到所述導電插塞。

4.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，利用熱固化材料形成所述第三介質層，形成所述第三介質層的方法包括：

將液態的所述熱固化材料涂覆在所述第二介質層和所述導電插塞表面；以及

在設定溫度進行熱固化，得到所述第三介質層。

5.如權利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述第三介質層中形成所述第三通孔采用激光刻蝕工藝。

6.如權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述熱固化材料為聚酰亞胺、環氧樹脂、聚氨酯、乙烯酯、酚醛樹脂、亞克力樹脂、尿素樹脂或三聚氰胺樹脂。

7.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二接觸墊的方法包括：

利用電鍍或者化學鍍工藝，在所述第三通孔中填滿導電材料并覆蓋所述第三介質層上表面；以及

利用平坦化工藝，去除位于所述第三介質層上表面的導電材料，得到與所述第三介質層上表面齊平的所述第二接觸墊。

8.如權利要求7任一項所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二接觸墊的導電材料包括銅、鎳、鋅、錫、銀、金、鎢和鎂中的一種。

9.如權利要求1至8任一項所述的制作方法，其特征在于，形成所述第四通孔的方法包括：

形成圖形化的第二光阻層在所述第三介質層的上表面；

利用所述第二光阻層作為掩模，刻蝕所述第三介質層和所述第二介質層的疊層，以形成所述第四通孔，所述第四通孔露出所述第一接觸墊；以及

去除所述第二光阻層。

10.如權利要求1至8任一項所述的制作方法，其特征在于，在所述第三介質層和所述第二介質層的疊層中形成所述第四通孔采用激光刻蝕工藝。