[發明專利]薄膜晶體管結構及其制作方法

有效

• 申請號: 202010143991.4
• 申請日: 2020-03-04
• 公開（公告）號: CN111490054B
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發明（設計）人: 謝孟廷;石秉弘
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L21/66;G02F1/1368
• 代理公司: 北京市立康律師事務所 11805
• 代理人: 梁揮;孟超

1.一種薄膜晶體管結構，其特征在于，包括：

一主動區，包括多個金屬氧化物半導體薄膜晶體管；

一周邊區，鄰接于該主動區；

一第一圖案化導電層，至少部分位于該周邊區；

一第二圖案化導電層，由該主動區延伸至該周邊區；

一介電層，位于該第一圖案化導電層與該第二圖案化導電層之間，并將該第一圖案化導電層和該第二圖案化導電層電性隔離；以及

一轉接橋，位于該周邊區，包括：

一第一接觸墊，鄰接于該第二圖案化導電層，且與該第二圖案化導電層電性隔離，并穿過該介電層，而與該第一圖案化導電層接觸；以及

一連接線，分別與該第二圖案化導電層和該第一接觸墊電性接觸；

其中該第二圖案化導電層包括一待測導線，由該主動區延伸至該周邊區，且位于該介電層的一介電表面上；該第一接觸墊包括：

一焊墊部，位于該介電表面上，且鄰接于該待測導線；以及

一插塞部，由該焊墊部縱向延伸穿過該介電層，而與該第一圖案化導電層位于該周邊區的一外圍導線接觸，并借由該連接線電性連接該待測導線和該第一接觸墊。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，其中該轉接橋更包括一第二接觸墊，位于該介電表面上，鄰接于該待測導線靠近該第一接觸墊的相反一側，且穿過該介電層與該外圍導線接觸，并借由該連接線電性連接該待測導線和該第二接觸墊。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，其中該待測導線包括一支線，鄰接該第二接觸墊；該轉接橋更包括一第三接觸墊，鄰接于該支線靠近該第二接觸墊的相反一側，并穿過該介電層，與該外圍導線接觸；且借由該連接線電性連接該支線和該第三接觸墊。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，其中該待測導線與該第一接觸墊之間具有一間距，該間距實質介于3微米至10微米之間。

5.一種薄膜晶體管結構的制作方法，其特征在于，包括：

形成一第一圖案化導電層，使該第一圖案化導電層包括由一主動區延伸至鄰接于該主動區的一周邊區，且彼此電性隔離的一第一待測圖案和一第二待測圖，以及位于該周邊區中的至少一外圍導線；

對該第一圖案化導電層進行一第一缺陷檢測；

于該第一圖案化導電層上形成一圖案化介電層；

于該圖案化介電層上形成一第二圖案化導電層，使該第二圖案化導電層包括由該主動區延伸至該周邊區，且彼此電性隔離的一第三待測圖案和一第四待測圖案；

對該第二圖案化導電層進行一第二缺陷檢測；

于該周邊區中形成一轉接橋，使該轉接橋包括：

一接觸墊，鄰接于該第三待測圖案的一待測導線，且與該待測導線電性隔離，并穿過該圖案化介電層而與該至少一外圍導線接觸；以及

一連接線，分別與該接觸墊和該待測導線電性接觸；

以及

于該主動區中形成多個金屬氧化物半導體薄膜晶體管；

其中該接觸墊與該第二圖案化導電層同時形成，且該接觸墊包括：

一焊墊部，形成于該圖案化介電層上，且鄰接于該待測導線并與該待測導線電性隔離；以及

一插塞部，由該焊墊部縱向延伸穿過該圖案化介電層，而與該至少一外圍導線接觸。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管結構的制作方法，其特征在于，其中該第一缺陷檢測包括對該第一待測圖案和該第二待測圖案分別施加一第一信號和一第二信號，以獲取一第一檢測數據和一第二檢測數據。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管結構的制作方法，其特征在于，其中該第一待測圖案包括多條第一導線彼此浮接；該第二待測圖案包括多條第二導線彼此串接；該第一信號和該第二信號，分別為一第一電壓和一第二電壓；該第一檢測數據和該第二檢測數據分別為一第一阻抗和一第二阻抗。

8.如權利要求5所述的薄膜晶體管結構的制作方法，其特征在于，其中形成該圖案化介電層的步驟，包括：

形成一介電材質層，覆蓋該第一圖案化導電層和一部分基材；以及

于該介電材質層中形成至少一開口，將該至少一外圍導線暴露于外；且該插塞部延伸穿過該開口，而與該至少一外圍導線接觸。