[發(fā)明專利]靜電吸盤及處理裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010143616.X
• 申請(qǐng)日: 2020-03-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111668151A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白石純;西愿修一郎;森達(dá)哉;渡邊仁弘;佐佐木雄基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TOTO株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 李雪春;閻文君

本發(fā)明的靜電吸盤具備：陶瓷電介體基板，具有放置吸附對(duì)象物的第1主面、所述第1主面相反側(cè)的第2主面、向所述第1主面開(kāi)口的槽；基座板，支撐所述陶瓷電介體基板且具有氣體導(dǎo)入路；及第1多孔質(zhì)部，設(shè)置于所述氣體導(dǎo)入路之間，所述陶瓷電介體基板具有多個(gè)孔，其連通所述槽與所述氣體導(dǎo)入路，在從所述基座板朝向所述陶瓷電介體基板的第1方向上穿通所述陶瓷電介體基板，所述第1多孔質(zhì)部具有：多孔區(qū)域，具有多個(gè)孔；及致密區(qū)域，比所述多孔區(qū)域更致密，所述多孔區(qū)域還具有致密部，當(dāng)向垂直于所述第1方向的平面進(jìn)行投影時(shí)，設(shè)置于所述陶瓷電介體基板的所述多個(gè)孔的至少1個(gè)構(gòu)成為與所述致密部的至少1個(gè)發(fā)生重疊。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的形態(tài)涉及一種靜電吸盤及處理裝置。

背景技術(shù)

在氧化鋁等的陶瓷電介體基板之間夾住電極并進(jìn)行燒成而制作的陶瓷制的靜電吸盤是在內(nèi)置的電極上外加靜電吸附用電力，并通過(guò)靜電力來(lái)吸附硅晶片等的基板。在這樣的靜電吸盤中，在陶瓷電介體基板的表面與吸附對(duì)象物即基板的背面之間流入氦(He)等惰性氣體，對(duì)吸附對(duì)象物即基板的溫度進(jìn)行控制。

例如，在化學(xué)汽相沉積(CVD(Chemical Vapor Deposition))裝置、濺射(sputtering)裝置、離子注入裝置、蝕刻(etching)裝置等對(duì)基板進(jìn)行處理的裝置中，存在處理中會(huì)帶來(lái)基板的溫度上升的裝置。在用于這樣的裝置的靜電吸盤中，在陶瓷電介體基板與吸附對(duì)象物即基板之間流入He等惰性氣體，通過(guò)使惰性氣體接觸基板來(lái)抑制基板的溫度上升。

在通過(guò)He等惰性氣體來(lái)對(duì)基板溫度進(jìn)行控制的靜電吸盤中，將用于導(dǎo)入He等惰性氣體的孔(氣體導(dǎo)入路)設(shè)置于陶瓷電介體基板及支撐陶瓷電介體基板的基座板。另外，在陶瓷電介體基板上設(shè)置連通于基座板的氣體導(dǎo)入路的穿通孔。由此，從基座板的氣體導(dǎo)入路導(dǎo)入的惰性氣體，通過(guò)陶瓷電介體基板的穿通孔而被引導(dǎo)至基板的背面。

在此，在裝置內(nèi)對(duì)基板進(jìn)行處理時(shí)，有時(shí)會(huì)發(fā)生從裝置內(nèi)的等離子體朝向金屬制的基座板的放電(電弧放電)。基座板的氣體導(dǎo)入路及陶瓷電介體基板的穿通孔有可能容易成為放電的路徑。于是，存在如下技術(shù)，通過(guò)在基座板的氣體導(dǎo)入路及陶瓷電介體基板的穿通孔中設(shè)置多孔質(zhì)部，從而提高對(duì)電弧放電的抗性(絕緣強(qiáng)度等)。例如，在專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)有如下靜電吸盤，通過(guò)在氣體導(dǎo)入路內(nèi)設(shè)置陶瓷燒結(jié)多孔體，將陶瓷燒結(jié)多孔體的構(gòu)造及膜孔作為氣體流路，從而提高在氣體導(dǎo)入路內(nèi)的絕緣性。另外，在專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)有如下靜電吸盤，在氣體擴(kuò)散用空隙內(nèi)設(shè)置有由陶瓷多孔體所構(gòu)成且用于防止放電的處理氣體流路用的放電防止構(gòu)件。另外，在專利文獻(xiàn)3中公開(kāi)有如下靜電吸盤，作為如氧化鋁這樣的多孔質(zhì)電介體而設(shè)置電介體插入件而降低電弧放電。另外，在專利文獻(xiàn)4中公開(kāi)有如下技術(shù)，通過(guò)激光加工法在由氮化鋁等所構(gòu)成的靜電吸盤上設(shè)置連通于氣體供給孔的多個(gè)細(xì)孔。

在這樣的靜電吸盤中，要求進(jìn)一步降低電弧放電。

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本國(guó)特開(kāi)2010-123712號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本國(guó)特開(kāi)2003-338492號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本國(guó)特開(kāi)平10-50813號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)4：日本國(guó)特開(kāi)2009-218592號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是基于這樣的問(wèn)題的認(rèn)知而進(jìn)行的，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可實(shí)現(xiàn)電弧放電的降低的靜電吸盤及處理裝置。