[發明專利]靜電吸盤及處理裝置

在審

• 申請號: 202010143616.X
• 申請日: 2020-03-04
• 公開（公告）號: CN111668151A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 白石純;西愿修一郎;森達哉;渡邊仁弘;佐佐木雄基
• 申請（專利權）人: TOTO株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 李雪春;閻文君

1.一種靜電吸盤，具備：陶瓷電介體基板，具有放置吸附對象物的第1主面、所述第1主面相反側的第2主面、向所述第1主面開口的至少1個槽；

基座板，支撐所述陶瓷電介體基板且具有氣體導入路；

及第1多孔質部，設置于所述槽與所述氣體導入路之間，其特征為，

所述陶瓷電介體基板具有多個孔，其連通所述槽與所述氣體導入路，在從所述基座板朝向所述陶瓷電介體基板的第1方向上穿通所述陶瓷電介體基板，

所述第1多孔質部具有：至少1個多孔區域，具有多個孔；及至少1個致密區域，比所述多孔區域更致密，所述多孔區域還具有至少1個致密部，

當向垂直于所述第1方向的平面進行投影時，設置于所述陶瓷電介體基板的所述多個孔的至少1個構成為與所述致密部的至少1個發生重疊。

2.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，所述第1多孔質部設置于所述陶瓷電介體基板。

3.根據權利要求1或2所述的靜電吸盤，其特征為，

還具備設置在所述槽與所述氣體導入路之間的第2多孔質部，

所述第2多孔質部設置于所述基座板。

4.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，所述第1多孔質部設置于所述基座板。

5.根據權利要求1～4中任意一項所述的靜電吸盤，其特征為，

所述多孔區域具有：多個疏松部分，具有多個孔；及緊密部分，具有比所述疏松部分的密度更高的密度，在與所述第1方向大致正交的第2方向上的尺寸小于在所述第2方向上的所述致密區域的尺寸，

所述多個疏松部分分別在所述第1方向上延伸，

所述緊密部分位于所述多個疏松部分的彼此之間，

所述疏松部分具有設置在所述多個孔的彼此之間的壁部，

在與所述第1方向大致正交的第2方向上，所述壁部的尺寸的最小值小于所述緊密部分的尺寸的最小值。

6.根據權利要求5所述的靜電吸盤，其特征為，在所述第2方向上，分別設置于所述多個疏松部分的所述多個孔的尺寸，比所述緊密部分的尺寸更小。

7.根據權利要求5或6所述的靜電吸盤，其特征為，分別設置于所述多個疏松部分的所述多個孔的縱橫比為30以上。

8.根據權利要求5～7中任意一項所述的靜電吸盤，其特征為，在所述第2方向上，分別設置于所述多個疏松部分的所述多個孔的尺寸為1微米以上、20微米以下。

9.根據權利要求5～8中任意一項所述的靜電吸盤，其特征為，

當沿著所述第1方向觀察時，所述多個孔包含位于所述疏松部分的中心部的第1孔，

在所述多個孔中，鄰接于所述第1孔且圍住所述第1孔的孔的數量為6個。

10.根據權利要求1～9中任意一項所述的靜電吸盤，其特征為，所述致密部的沿向所述第1方向的長度，小于所述第1多孔質部的沿向所述第1方向的長度。

11.根據權利要求1～9中任意一項所述的靜電吸盤，其特征為，所述致密部的沿向所述第1方向的長度與所述第1多孔質部的沿向所述第1方向的長度大致相同。

12.根據權利要求1～11中任意一項所述的靜電吸盤，其特征為，所述氣體導入路的所述陶瓷電介體基板側的開口的緣的至少一部分由曲線形成。

13.根據權利要求1～12中任意一項所述的靜電吸盤，其特征為，

設置于所述陶瓷電介體基板的所述多個孔的至少1個具有：第1部分，向所述槽開口；及第2部分，連通于第1部分，向所述第2主面開口，

在與所述第1方向大致正交的第2方向上，所述第1部分的尺寸小于所述第2部分的尺寸。